上海集成電路制造創新中心有限公司徐航獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海集成電路制造創新中心有限公司申請的專利槽型絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115799310B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211697847.0，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權槽型絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法是由徐航;楊雅芬;張衛設計研發完成，并于2022-12-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本槽型絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種槽型絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法，其中槽型絕緣柵雙極型晶體管包括N型硅襯底、第一屏蔽柵、第二屏蔽柵、控制柵、發射極、正面P型阱區、N型載流子存儲層和高摻雜的載流子存儲層；N型硅襯底上開設有溝槽，正面P型阱區、N型載流子存儲層和發射極分別位于溝槽的兩側，高摻雜的載流子存儲層在左側，且發射極位于正面P型阱區的上方，正面P型阱區位于N型載流子存儲層的上方；第一屏蔽柵、第二屏蔽柵和控制柵設于溝槽內，且第一屏蔽柵和控制柵并排設置，第二屏蔽柵位于第一屏蔽柵和控制柵的底部；所述第一屏蔽柵和所述第二屏蔽柵與所述發射極電勢相等。本發明消除集電極對溝槽柵的影響，降低了柵電荷，改善動態特性。
本發明授權槽型絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種槽型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，包括N型硅襯底、第一屏蔽柵、第二屏蔽柵、控制柵、發射極、正面P型阱區、N型載流子存儲層和高摻雜的載流子存儲層； 所述N型硅襯底上開設有溝槽，且所述N型硅襯底的正面形成有所述正面P型阱區、所述N型載流子存儲層、所述高摻雜的載流子存儲層和所述發射極，所述正面P型阱區、所述N型載流子存儲層和所述發射極分別位于所述溝槽的兩側，所述高摻雜的載流子存儲層在所述溝槽的左側，且所述發射極位于所述正面P型阱區的上方，所述正面P型阱區位于所述N型載流子存儲層的上方； 所述第一屏蔽柵、所述第二屏蔽柵和所述控制柵設于所述溝槽內，且所述第一屏蔽柵和所述控制柵并排間隔設置，所述第二屏蔽柵位于所述第一屏蔽柵和所述控制柵的底部；其中，所述第一屏蔽柵和所述第二屏蔽柵與所述發射極電勢相等。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海集成電路制造創新中心有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區碧波路690號401-23室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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