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龍圖騰網獲悉北京衛星環境工程研究所申請的專利真空質子輻照試驗的高均勻性大束斑面離子源裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115831693B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211480562.1，技術領域涉及：H01J37/08；該發明授權真空質子輻照試驗的高均勻性大束斑面離子源裝置是由李昊;鄭慧奇;黃首清;劉宇明;任瓊英;楊勇;唐振宇;于強;劉寵;李宇;張永泰;彭毓川;楊艷斌;劉慶海;葛麗麗設計研發完成，并于2022-11-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本真空質子輻照試驗的高均勻性大束斑面離子源裝置在說明書摘要公布了：本發明公開了真空質子輻照試驗的高均勻性大束斑面離子源裝置，包括氣源，所述氣源的輸出端連接有電離室，所述電離室連接有引出面，所述引出面連接有加速電極，所述加速電極連接有靶臺，所述靶臺連接有計算機，所述計算機連接有高壓電源，所述高壓電源連接有電子源，所述高壓電源還與電離室、引出面、加速電極連接。本發明中，使用多圈多圓弧形熱陰極，各個圓弧的溫度可分別控制，具有與熱陰極交錯布置的多層同心圓筒形電極，將引出電極延伸至電離室內部，因而離子束流的均勻性更好；熱陰極的圈數、圓筒形電極的層數以及引出電極的面積等可增減，可實現大束斑面積的離子束流，具有離子通量自動調節功能，因而靶臺位置的束流通量穩定性更好。

本發明授權真空質子輻照試驗的高均勻性大束斑面離子源裝置在權利要求書中公布了：1.真空質子輻照試驗的高均勻性大束斑面離子源裝置，其特征在于，包括氣源（1），所述氣源（1）的輸出端連接有電離室（2），所述電離室（2）連接有引出面（3），所述引出面（3）連接有加速電極（4），所述加速電極（4）連接有靶臺（5），所述靶臺（5）連接有計算機（6），所述計算機（6）連接有高壓電源（7），所述高壓電源（7）連接有電子源（8），所述高壓電源（7）還與電離室（2）、引出面（3）、加速電極（4）連接，所述電子源（8）與電離室（2）連接； 所述電子源（8）包括熱陰極一（9）、熱陰極二（10）、熱陰極三（11），所述熱陰極一（9）、熱陰極二（10）、熱陰極三（11）呈多圈分布，每圈為多個圓弧結構，所述電子源（8）產生電子束流，電子束流被電極引入電離室（2）中； 所述電離室（2）內還設置有筒形電極一（12）、筒形電極二（13）、筒形電極三（14）、筒形電極四（15），所述筒形電極一（12）、筒形電極二（13）、筒形電極三（14）、筒形電極四（15）在軸向上位于熱陰極一（9）、熱陰極二（10）、熱陰極三（11）的后方，在徑向上與熱陰極交錯布置； 所述引出面（3）包括引出電極（16）和柵極（17），所述引出電極（16）與電離室（2）相連，所述引出電極（16）具有一個圓筒形的邊沿，該邊沿延伸進入電離室（2），代替電離室（2）靠近引出面（3）的一部分內壁，所述柵極（17）在引出電極（16）后方，所述引出電極（16）的電壓低于電離室（2）的電壓。

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