天狼芯半導體(成都)有限公司劉濤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉天狼芯半導體(成都)有限公司申請的專利一種溝道缺陷檢測方法及晶圓檢測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115775745B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211417964.7，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權一種溝道缺陷檢測方法及晶圓檢測方法是由劉濤;黃匯欽設計研發完成，并于2022-11-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種溝道缺陷檢測方法及晶圓檢測方法在說明書摘要公布了：本申請屬于半導體技術領域，提供了一種溝道缺陷檢測方法及晶圓檢測方法，溝道缺陷檢測方法通過對第一溝道層施加水平靜磁場，調整缺陷能級中存在的電子的自旋方向，使得其自旋方向向下，通過施加射頻磁場后缺陷能級中的電子的自旋方向發生翻轉，方向向上，使得來自導帶中原本與缺陷能級中進行配對的電子的配對行為將被禁止，此時原本配對的來自導帶中的電子將掉落進入價帶中，并與價帶中的空穴復合，形成第一漏電流，然后通過對功率器件的溝道層每一次外延后都進行檢測，可以及早的檢測外延過程中溝道層的界面缺陷密度，避免了工藝浪費，并且檢測結果準確。
本發明授權一種溝道缺陷檢測方法及晶圓檢測方法在權利要求書中公布了：1.一種溝道缺陷檢測方法，其特征在于，包括； 步驟S10：形成第一溝道層，并在所述第一溝道層上依次形成第一源極、第一漏極和第一柵極；其中，所述第一漏極連接電源，所述第一源極接地，所述第一柵極懸空； 步驟S20：對所述第一溝道層施加水平靜磁場；其中，所述水平靜磁場用于調整位于缺陷能級中的電子的自旋方向； 步驟S30：在所述第一柵極上方施加射頻磁場；其中，所述第一柵極的上方設置射頻線圈，所述射頻線圈的中心位于所述第一柵極上方，所述射頻線圈在通電時生成所述射頻磁場，所述射頻磁場用于翻轉位于缺陷能級中的電子的自旋方向，以使得來自導帶中的電子移動至價帶中的空穴內，從而形成第一漏電流； 步驟S40：根據所述第一漏電流確定所述第一溝道層的界面缺陷密度，并去除所述第一源極、所述第一柵極以及所述第一漏極； 步驟S50：重復執行所述步驟S10、步驟S20、步驟S30以及步驟S40，直至溝道層的厚度達到預設閾值厚度；其中，所述溝道層由多層所述第一溝道層組成。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天狼芯半導體(成都)有限公司，其通訊地址為：610000 四川省成都市高新區吉泰路5路88號香年廣場T3棟4201室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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