浙江大學張睿獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江大學申請的專利基于場效應晶體管結構的光電免疫檢測設備及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115711929B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211333575.6，技術領域涉及：G01N27/414；該發明授權基于場效應晶體管結構的光電免疫檢測設備及其制造方法是由張睿;孫鈺設計研發完成，并于2022-10-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于場效應晶體管結構的光電免疫檢測設備及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于場效應晶體管結構的光電免疫檢測設備及其制造方法，該設備利用了間接免疫熒光測定方法，將光信號轉換成電信號對抗原進行檢測；該設備由場效應晶體管、硅光波導環形諧振器、儲液槽三部分構成，三部分均在同一個絕緣層上硅襯底上制備而成；絕緣層上硅膜刻蝕形成硅光波導環形諧振器，硅光波導環形諧振器的直波導的一端作為光輸入端口與儲液槽相連，另一端作為光輸出端口與場效應晶體管的溝道相連；儲液槽表面進行修飾，用于滴加待檢測樣品并固定樣品中抗原。本發明可以很好的將免疫檢測與集成電路制造工藝結合，降低檢測成本以及操作難度。
本發明授權基于場效應晶體管結構的光電免疫檢測設備及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種基于場效應晶體管結構的光電免疫檢測設備，其特征在于，該檢測設備由場效應晶體管、硅光波導環形諧振器、儲液槽三部分構成，三部分均在同一個絕緣層上硅襯底上制備而成； 所述場效應晶體管由絕緣層上硅膜、柵極介質、金屬柵層和源漏極組成，源極和漏極在柵極兩側對稱設置，柵極、源極和漏極均引出接觸電極； 所述絕緣層上硅膜刻蝕形成硅光波導環形諧振器，所述硅光波導環形諧振器由直波導和環形波導組成，所述直波導的一端作為光輸入端口與儲液槽相連，另一端作為光輸出端口與場效應晶體管的溝道相連，所述直波導與場效應晶體管的溝道長度方向垂直，所述環形波導與直波導鄰近； 所述絕緣層上硅膜表面覆蓋透光絕緣層作為波導上包層，所述絕緣層上硅襯底的埋氧化層作為波導下包層；所述透光絕緣層上設置儲液槽區域，除儲液槽區域以及引出的電極外，設備表面其余部分均覆蓋有不透光絕緣層；所述儲液槽表面進行修飾，用于滴加待檢測樣品并固定樣品中抗原。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江大學，其通訊地址為：310058 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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