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龍圖騰網(wǎng)獲悉銳立平芯微電子(廣州)有限責(zé)任公司;廣東省大灣區(qū)集成電路與系統(tǒng)應(yīng)用研究院申請(qǐng)的專利一種利用蝕刻回蝕工藝增大氣隙的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115602622B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202211325356.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)一種利用蝕刻回蝕工藝增大氣隙的方法是由蔡弦助;葉甜春;陳少民;李彬鴻設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-10-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種利用蝕刻回蝕工藝增大氣隙的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種利用蝕刻回蝕工藝增大氣隙的方法，其可有效增大氣隙體積，同時(shí)可降低寄生電容值，半導(dǎo)體器件包括自下而上依次分布的襯底、層間介質(zhì)層、第一光罩，該方法包括：選定氣隙區(qū)域，擴(kuò)散屏障在選定氣隙區(qū)域打開，刻蝕待生成氣隙的層間介質(zhì)層，形成氣隙腔，去除第一光罩后，沉積共形電介質(zhì)阻擋層，在氣隙腔中填充第一填充物，對(duì)第一填充物進(jìn)行回蝕，在第一刻蝕槽內(nèi)堆棧第二填充物，并使第二填充物覆蓋于共形電介質(zhì)阻擋層、擴(kuò)散屏障的上表面，在第二填充物的上表面覆蓋第二光罩，對(duì)第一刻蝕區(qū)域的第二填充物進(jìn)行刻蝕，形成第二刻蝕槽，去除第二光罩后，刻蝕氣隙腔中的第一填充物，在第二刻蝕槽內(nèi)沉積非共形電介質(zhì)，形成氣隙。

本發(fā)明授權(quán)一種利用蝕刻回蝕工藝增大氣隙的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種利用蝕刻回蝕工藝增大氣隙的方法，該方法用于制作半導(dǎo)體器件介電質(zhì)層中的氣隙，半導(dǎo)體器件包括自下而上依次分布的襯底、層間介質(zhì)層、第一阻擋層以及間隔分布于襯底內(nèi)的若干金屬層，每個(gè)所述金屬層的外圍設(shè)置有屏障層，其特征在于，該方法包括：S1、選定氣隙區(qū)域，氣隙區(qū)域包括至少兩個(gè)待生成氣隙，所述待生成氣隙為相鄰兩個(gè)金屬層之間的區(qū)域； S2、在所述第一阻擋層的上表面設(shè)置第一光罩； S3、依次刻蝕氣隙區(qū)域的所述第一阻擋層、待生成氣隙區(qū)域的層間介質(zhì)層，形成氣隙腔； S4、去除未被刻蝕的所述第一阻擋層上方的所述第一光罩后，在未被刻蝕的所述第一阻擋層的上表面、外露的屏障層表面以及所述氣隙腔內(nèi)沉積共形電介質(zhì)阻擋層； S5、在所述氣隙腔中填充第一填充物，并使所述第一填充物覆蓋于共形電介質(zhì)阻擋層的上表面； S6、對(duì)第一填充物進(jìn)行回蝕：將第一阻擋層、外露的屏障層上方的第一填充物去除，并將氣隙腔內(nèi)頂端的第一填充物去除，在氣隙腔的上部形成具有一定深度的第一刻蝕槽； S7、在第一刻蝕槽內(nèi)堆棧第二填充物，并使第二填充物覆蓋于第一填充物、共形電介質(zhì)阻擋層的上表面； S8、在第二填充物的上表面覆蓋第二光罩，第二光罩上設(shè)置有一定寬度的圖形，該圖形與第一刻蝕區(qū)域?qū)?yīng)且圖形寬度與第一刻蝕區(qū)域?qū)挾纫恢拢瑘D形寬度大于單個(gè)屏障層的最大寬度，且小于單個(gè)屏障層寬度與氣隙寬度之和； S9、對(duì)第一刻蝕區(qū)域的第二填充物進(jìn)行刻蝕，形成第二刻蝕槽； S10、去除第二光罩后，刻蝕氣隙腔中的第一填充物； S11、在所述第一刻蝕區(qū)域生長(zhǎng)非共形電介質(zhì)，在所述非共形電介質(zhì)下方的所述氣隙腔內(nèi)形成氣隙。

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