中國電子科技集團公司第十三研究所周彪獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國電子科技集團公司第十三研究所申請的專利準連續陣列激光泵源及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115764552B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211324338.3,技術領域涉及:H01S5/40;該發明授權準連續陣列激光泵源及其制備方法是由周彪;康曉晨;許向前;孔令甲;韓玉朝;李宇;胡丹;王建;崔璐;張厚博;秦秋實;齊亞斌;孫雷;王旭東;彭同輝設計研發完成,并于2022-10-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本準連續陣列激光泵源及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種準連續陣列激光泵源及其制備方法。該制備方法包括:在每相鄰兩個熱沉片之間分別燒結一個激光器芯片,且激光器芯片的發光面作為上表面,燒結位置處的熱沉片的側面與對應的激光器芯片的側面均接觸,得到第一樣品;將第一樣品的下表面燒結于瓷片上表面,得到準連續陣列激光泵源;對準連續陣列激光泵源的一端面及與所有激光器芯片的發光上表面兩側連接的裸露平面,進行水密處理,向準連續陣列激光泵源另一端面中填充導熱材料;填充完畢后,對準連續陣列激光泵源的兩端面及所有激光器芯片的發光上表面兩側連接的進行水密處理的平面,進行熱固化處理,得到最終的準連續陣列激光泵源。本發明能夠有效提升準連續陣列激光泵源的熱耗散效率。
本發明授權準連續陣列激光泵源及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種準連續陣列激光泵源的制備方法,其特征在于,包括: 在每相鄰兩個熱沉片之間分別燒結一個激光器芯片,且激光器芯片的發光面作為上表面,燒結位置處的熱沉片的側面與對應的激光器芯片的側面均接觸,得到第一樣品; 將所述第一樣品的下表面燒結于瓷片上表面,得到準連續陣列激光泵源;所述激光器芯片的發光上表面遠離所述瓷片上表面; 對所述準連續陣列激光泵源的一端面及與所有激光器芯片的發光上表面兩側連接的裸露平面,進行水密處理,向所述準連續陣列激光泵源另一端面中填充導熱材料; 填充完畢后,對所述準連續陣列激光泵源的兩端面及所有激光器芯片的發光上表面兩側連接的進行水密處理的平面,進行熱固化處理,得到最終的準連續陣列激光泵源。
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