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龍圖騰網(wǎng)獲悉天津理工大學(xué)申請(qǐng)的專利基于電荷注入機(jī)制的存儲(chǔ)器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114220866B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111390930.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/68；該發(fā)明授權(quán)基于電荷注入機(jī)制的存儲(chǔ)器及其制備方法是由陳旭東;魯統(tǒng)部;張志成;李媛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-11-23向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本基于電荷注入機(jī)制的存儲(chǔ)器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于電荷注入機(jī)制的存儲(chǔ)器及其制備方法，可應(yīng)用于存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明存儲(chǔ)器包括：襯底；控制柵層，所述控制柵層包括硒化鎢，其位于所述襯底之上，所述控制柵層的第一端上面設(shè)有柵極電極，用于連接外部施加電壓；閾值開關(guān)層，所述閾值開關(guān)層包括具有閾值轉(zhuǎn)換特性的氧化石墨炔，其的第一端位于所述襯底之上，第二端位于所述控制柵層的第一端之上；電荷存儲(chǔ)層，所述電荷存儲(chǔ)層包括硫化鉬，其位于所述閾值開關(guān)層之上；阻擋層，其位于所述電荷存儲(chǔ)層之上；溝道層，其位于所述阻擋層之上，所述溝道層的第一端上面設(shè)有源極電極，所述溝道層的第二端上面設(shè)有漏極電極。本發(fā)明能實(shí)現(xiàn)超快寫入或擦除操作。

本發(fā)明授權(quán)基于電荷注入機(jī)制的存儲(chǔ)器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于電荷注入機(jī)制的存儲(chǔ)器，其特征在于，包括： 襯底； 控制柵層，所述控制柵層包括硒化鎢，所述控制柵層位于所述襯底之上，所述控制柵層的第一端上面設(shè)有柵極電極，用于連接外部施加電壓； 閾值開關(guān)層，所述閾值開關(guān)層包括具有閾值轉(zhuǎn)換特性的氧化石墨炔，所述閾值開關(guān)層的第二端位于所述襯底之上，所述閾值開關(guān)層的第一端位于所述控制柵層的第二端的上面且所述閾值開關(guān)層第一端的側(cè)面緊貼所述柵極電極的側(cè)面； 電荷存儲(chǔ)層，所述電荷存儲(chǔ)層包括硫化鉬，所述電荷存儲(chǔ)層位于所述閾值開關(guān)層之上； 阻擋層，所述阻擋層位于所述電荷存儲(chǔ)層之上； 溝道層，所述溝道層位于所述阻擋層之上，所述溝道層的第一端上面設(shè)有源極電極，所述溝道層的第二端上面設(shè)有漏極電極； 其中，所述柵極電極、所述源極電極和所述漏極電極均包括鉻和金材料。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人天津理工大學(xué)，其通訊地址為：300384 天津市西青區(qū)賓水西道391號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。