長鑫存儲技術有限公司胡華獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法、堆疊結構及晶圓堆疊方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116093059B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111312979.2，技術領域涉及：H01L23/498；該發明授權半導體結構及其形成方法、堆疊結構及晶圓堆疊方法是由胡華設計研發完成，并于2021-11-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法、堆疊結構及晶圓堆疊方法在說明書摘要公布了：本公開實施例提供一種半導體結構及其形成方法、堆疊結構及晶圓堆疊方法，其中，所述半導體結構包括：頂層金屬層和緩沖層；所述頂層金屬層位于半導體襯底表面的第一介質層中，且所述頂層金屬層貫穿所述第一介質層；所述緩沖層位于所述頂層金屬層與所述第一介質層之間。
本發明授權半導體結構及其形成方法、堆疊結構及晶圓堆疊方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括：頂層金屬層、緩沖層、鍵合層和阻擋層； 其中，所述頂層金屬層位于半導體襯底表面的第一介質層中，且所述頂層金屬層貫穿所述第一介質層； 所述緩沖層位于所述頂層金屬層與所述第一介質層之間，所述緩沖層的材料不同于所述第一介質層的材料； 所述鍵合層位于所述緩沖層與所述第一介質層之間，所述頂層金屬層與所述第一介質層之間； 所述阻擋層位于所述頂層金屬層外側壁及底部，所述阻擋層分別位于所述緩沖層與所述頂層金屬層之間、所述鍵合層與所述頂層金屬層之間、所述第一介質層與所述頂層金屬層之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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