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龍圖騰網獲悉蘇州英嘉通半導體有限公司申請的專利一種基于GaAs HBT工藝的功率放大器偏置電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114024510B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111244087.3，技術領域涉及：H03F1/30；該發明授權一種基于GaAs HBT工藝的功率放大器偏置電路是由劉棟堯;曹亞鵬;寧殿華設計研發完成，并于2021-10-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于GaAs HBT工藝的功率放大器偏置電路在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于GaAsHBT工藝的功率放大器偏置電路，包括溫度補償單元、標準電流鏡偏置單元和多階溫度系數電壓單元，所述標準電流鏡偏置單元包括復制電路單元和輸出電路單元，所述復制電路單元和所述輸出電路單元內分別設置有第一HBT管HBT1和第三HBT管HBT3；所述多階溫度系數電壓單元設置于所述復制電路單元內。本發明提供的偏置電路將多階溫度系數電壓單元設置于標準電流鏡偏置單元的復制電路單元內，簡化了電路，有利于片上集成，同時改變電流鏡結構，利用晶體管的電流放大作用，減小了第一HBT管HBT1的漏電流，提高了輸出的偏置電流與輸入的基準電流之間的傳輸精度，輸出穩定的偏置電流。

本發明授權一種基于GaAs HBT工藝的功率放大器偏置電路在權利要求書中公布了：1.一種基于GaAsHBT工藝的功率放大器偏置電路，其特征在于，包括溫度補償單元、標準電流鏡偏置單元和多階溫度系數電壓單元，所述標準電流鏡偏置單元包括復制電路單元和輸出電路單元，所述復制電路單元和所述輸出電路單元內分別設置有第一HBT管HBT1和第三HBT管HBT3；所述多階溫度系數電壓單元設置于所述復制電路單元內，包括若干個依次串聯且集電極和基極連接的HBT管HBTA，其中，末個HBT管HBTA的射極輸出端與所述第一HBT管HBT1的集電極連接，所述第一HBT管HBT1的射極接地； 所述溫度補償單元內設置有電源Vc，其輸出的基準電流一路經過依次串聯的HBT管HBTA到第一HBT管HBT1后接地，另一路經過第三HBT管HBT3后輸出偏置電流； 所述復制電路單元還包括電阻R2，所述電阻R2的一端作為復制電路單元的電流輸入，另一端與多階溫度系數單元內首個HBT管HBTA的集電極連接； 所述標準電流鏡偏置單元還包括第二HBT管HBT2，所述電阻R2的另一端同時與所述第二HBT管HBT2的基極連接，所述第二HBT管HBT2的射極輸出端接所述第一HBT管HBT1的基極，所述第二HBT管HBT2的集電極外接基準電壓。

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