臺灣積體電路制造股份有限公司黃偵晃獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113140513B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110048098.8，技術領域涉及：H10D84/02；該發明授權半導體裝置的制造方法是由黃偵晃;謝明哲;張正忠;徐紹華;張書維;魏安祺;王祥保;陳嘉仁設計研發完成，并于2021-01-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種半導體裝置的制造方法。揭示了在半導體裝置中形成氣體間隔物的方法以及包含氣體間隔物的半導體裝置。根據一實施例，方法包含在基底上方形成柵極堆疊；在柵極堆疊的側壁上形成第一柵極間隔物；在第一柵極間隔物的側壁上形成第二柵極間隔物；使用蝕刻制程移除第二柵極間隔物以形成第一開口，蝕刻制程在小于0℃的溫度下進行，蝕刻制程使用包含氟化氫的蝕刻溶液；以及在第一柵極間隔物和柵極堆疊上方沉積介電層，介電層在第一開口中密封氣體間隔物。
本發明授權半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置的制造方法，包括： 在一基底上方形成一柵極堆疊； 在該柵極堆疊的側壁上形成一第一柵極間隔物； 在該第一柵極間隔物的側壁上形成一第二柵極間隔物； 形成一源極漏極區鄰近該柵極堆疊； 使用一蝕刻制程移除該第二柵極間隔物以形成一第一開口暴露出該源極漏極區的底表面以及在該第一柵極間隔物的頂表面下方的該第一柵極間隔物的一水平表面，其中該蝕刻制程在小于0℃的溫度下進行，其中該蝕刻制程使用包括氟化氫的蝕刻溶液；以及 在該第一柵極間隔物和該柵極堆疊上方沉積一介電層，該介電層在該第一開口中密封一氣體間隔物。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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