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龍圖騰網(wǎng)獲悉謝菲爾德大學(xué)申請(qǐng)的專(zhuān)利LED陣列獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112823421B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：201980066550.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H29/01；該發(fā)明授權(quán)LED陣列是由王濤設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-10-08向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本LED陣列在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種制造發(fā)光二極管LED陣列的方法包括以下步驟：由III族氮化物材料形成半導(dǎo)體層100；在半導(dǎo)體層上方形成電介質(zhì)掩模層104，電介質(zhì)掩模層具有穿過(guò)該電介質(zhì)掩模層的孔洞的陣列，每個(gè)孔洞暴露出半導(dǎo)體層的一區(qū)域；并且使在每個(gè)孔洞中生長(zhǎng)LED結(jié)構(gòu)體108。

本發(fā)明授權(quán)LED陣列在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種制造發(fā)光二極管LED陣列的方法，所述方法包括：由III族氮化物材料形成半導(dǎo)體層，其中，所述半導(dǎo)體層包括第一子層和第二子層；在所述半導(dǎo)體層的上方形成電介質(zhì)掩模層，所述電介質(zhì)掩模層具有穿過(guò)所述電介質(zhì)掩模層的孔洞的陣列，每個(gè)孔洞暴露出所述半導(dǎo)體層的所述第一子層的一區(qū)域；并且使在每個(gè)所述孔洞中生長(zhǎng)LED結(jié)構(gòu)體，使在每個(gè)所述孔洞中生長(zhǎng)所述LED結(jié)構(gòu)體包括：使在每個(gè)所述孔洞中生長(zhǎng)n型層、至少一個(gè)有源層、以及p型層，其中，所暴露出的半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類(lèi)型和所述LED結(jié)構(gòu)體的與所暴露出的半導(dǎo)體層接觸的層的導(dǎo)電類(lèi)型相同，并且其中，所暴露出的半導(dǎo)體層和所述LED結(jié)構(gòu)體的與所暴露出的半導(dǎo)體層接觸的層包括相同的III族氮化物材料，其中，所述半導(dǎo)體層的所述第二子層的上表面不高于所述孔洞中的所述LED結(jié)構(gòu)體的所述n型層的上表面。

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