合肥晶合集成電路股份有限公司張偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種半導體結構的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120341174B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510811824.5，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權一種半導體結構的制作方法是由張偉;運廣濤;邵章朋;蘇圣哲;羅欽賢設計研發完成，并于2025-06-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體結構的制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體結構的制作方法，屬于半導體技術領域，所述制作方法包括：提供一襯底，在襯底上依次形成墊氧化層和墊氮化層；蝕刻部分墊氧化層、墊氮化層和襯底，形成淺溝槽；在所述淺溝槽內沉積絕緣介質，第一次平坦化處理所述絕緣介質，絕緣介質與兩側的墊氮化層齊平；微刻蝕處理墊氮化層，形成微結構層，微刻蝕采用弱物理濺射方式；氧化處理墊氮化層，形成中間氧化層；等量去除中間氧化層和部分絕緣介質；重復微刻蝕處理、氧化處理以及等量去除步驟，直至去除所述墊氮化層；去除所述墊氧化層和部分所述絕緣介質。通過本發明提供的半導體結構的制作方法，能夠避免在淺溝槽隔離結構的角邊緣出現凹陷現象，提高半導體結構的性能。
本發明授權一種半導體結構的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，至少包括以下步驟： 提供一襯底，在所述襯底上依次形成墊氧化層和墊氮化層； 蝕刻部分所述墊氧化層、所述墊氮化層和所述襯底，形成淺溝槽； 在所述淺溝槽內沉積絕緣介質，第一次平坦化處理所述絕緣介質，所述絕緣介質與兩側的所述墊氮化層齊平； 微刻蝕處理所述墊氮化層，形成微結構層，所述微刻蝕采用弱物理濺射方式； 氧化處理所述墊氮化層，形成中間氧化層； 等量去除所述中間氧化層和部分所述絕緣介質； 重復微刻蝕處理、氧化處理以及等量去除步驟，直至去除所述墊氮化層；以及 去除所述墊氧化層和部分所述絕緣介質。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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