浙江力積存儲科技股份有限公司吳曉雪獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江力積存儲科技股份有限公司申請的專利存儲器測試方法、裝置、設備和介質獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120260658B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510744770.5,技術領域涉及:G11C29/12;該發明授權存儲器測試方法、裝置、設備和介質是由吳曉雪設計研發完成,并于2025-06-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本存儲器測試方法、裝置、設備和介質在說明書摘要公布了:本公開實施例提供的存儲器測試方法、裝置、設備和介質,包括:獲取多個存儲單元的寫入數據和讀取數據,其中,不同存儲單元的寫入數據相同,不同存儲單元的讀取數據為讀取的寫入數據;根據目標存儲單元組包括的存儲單元的讀取數據,確定目標存儲單元組的第一測試結果,其中,任意一存儲單元組包括第一存儲單元和第二存儲單元;根據目標存儲單元組包括的存儲單元的寫入數據和讀取數據,確定目標存儲單元組包括的存儲單元的第二測試結果;根據目標存儲單元組的第一測試結果和目標存儲單元組包括的存儲單元的第二測試結果,確定目標存儲單元組包括的存儲單元的讀寫狀態,確定了各個存儲單元組包括的兩個存儲單元的寫操作和讀操作的狀態。
本發明授權存儲器測試方法、裝置、設備和介質在權利要求書中公布了:1.一種存儲器測試方法,其特征在于,包括: 獲取多個存儲單元的寫入數據和讀取數據,其中,不同存儲單元的寫入數據相同,不同存儲單元的讀取數據為讀取的寫入數據; 根據目標存儲單元組包括的存儲單元的讀取數據,確定所述目標存儲單元組的第一測試結果,其中,任意一存儲單元組包括第一存儲單元和第二存儲單元; 根據所述目標存儲單元組包括的存儲單元的寫入數據和讀取數據,確定所述目標存儲單元組包括的存儲單元的第二測試結果; 根據所述目標存儲單元組的第一測試結果和所述目標存儲單元組包括的存儲單元的第二測試結果,確定所述目標存儲單元組包括的存儲單元的讀寫狀態; 所述根據目標存儲單元組包括的存儲單元的讀取數據,確定所述目標存儲單元組的第一測試結果之前,還包括: 根據存儲器包括的存儲單元,對存儲單元進行兩兩組合得到多組存儲單元組; 所述根據目標存儲單元組包括的存儲單元的讀取數據,確定所述目標存儲單元組的第一測試結果,包括: 獲取所述目標存儲單元組包括的第一存儲單元的第一讀取數據,以及所述目標存儲單元組包括的第二存儲單元的第二讀取數據; 依次比較所述第一讀取數據和所述第二讀取數據中相同位數的數據,并根據所述第一讀取數據和所述第二讀取數據中相同位數的數據的比較結果,確定所述目標存儲單元組的第一測試結果; 所述根據所述目標存儲單元組包括的存儲單元的寫入數據和讀取數據,確定所述目標存儲單元組包括的存儲單元的第二測試結果,包括: 獲取所述目標存儲單元組包括的第一存儲單元的第一讀取數據和第一寫入數據,以及所述目標存儲單元組包括的第二存儲單元的第二讀取數據和第二寫入數據; 依次比較所述第一讀取數據和所述第一寫入數據中相同位數的數據,并根據所述第一讀取數據和所述第一寫入數據中相同位數的數據的比較結果,確定所述第一存儲單元的第三測試結果; 依次比較所述第二讀取數據和所述第二寫入數據中相同位數的數據,并根據所述第二讀取數據和所述第二寫入數據中相同位數的數據的比較結果,確定所述第二存儲單元的第四測試結果; 所述根據所述目標存儲單元組的第一測試結果和所述目標存儲單元組包括的存儲單元的第二測試結果,確定所述目標存儲單元組包括的存儲單元的讀寫狀態,包括: 在所述目標存儲單元組包括的存儲單元的第二測試結果均為低電平,且所述目標存儲單元組的第一測試結果為低電平時,則所述目標存儲單元組包括的存儲單元的讀狀態和寫狀態正常; 在所述目標存儲單元組的第一測試結果為高電平時,則所述目標存儲單元組包括的存儲單元中存在一個存儲單元的讀狀態異常或寫狀態異常; 所述在所述目標存儲單元組的第一測試結果為高電平時,則所述目標存儲單元組包括的存儲單元中存在一個存儲單元的讀狀態異常或寫狀態異常,包括: 在所述目標存儲單元組的第一測試結果為高電平時,若所述目標存儲單元組包括的第一存儲單元的第三測試結果均為低電平,所述目標存儲單元組包括的第二存儲單元的第四測試結果均為高電平,則所述目標存儲單元組包括的第二存儲單元的讀狀態異常; 在所述目標存儲單元組的第一測試結果為高電平時,若所述目標存儲單元組包括的第一存儲單元的第三測試結果均為高電平,所述目標存儲單元組包括的第二存儲單元的第四測試結果均為低電平,則所述目標存儲單元組包括的第一存儲單元的讀狀態異常; 在所述目標存儲單元組的第一測試結果為高電平時,若所述目標存儲單元組包括的第一存儲單元的第三測試結果均為低電平,所述目標存儲單元組包括的第二存儲單元的第四測試結果均為低電平,則所述目標存儲單元組包括的第一存儲單元的寫狀態異常,或所述第二存儲單元的寫狀態異常。
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