佛山市國星半導體技術有限公司曠明勝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉佛山市國星半導體技術有限公司申請的專利一種金屬襯底晶圓的切割方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120109092B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510601643.X，技術領域涉及：H01L21/78；該發明授權一種金屬襯底晶圓的切割方法是由曠明勝;周鑫;于倩倩;范敏聰;陳慧秋;陳凱設計研發完成，并于2025-05-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種金屬襯底晶圓的切割方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種金屬襯底晶圓的切割方法，涉及半導體技術領域，包括以下步驟：在金屬襯底晶圓的背面蒸鍍金屬材料形成第一切割保護層；在第一切割保護層上旋涂水溶性切割保護液，干燥后形成第二切割保護層；采用第一激光光束在第二切割保護層上切割形成第一溝槽；采用第二激光光束沿第一溝槽的位置繼續切割形成第二溝槽；清洗去除第二切割保護層，從而完成金屬襯底晶圓的背面切割。本發明通過第一切割保護層和第二切割保護層的相互配合，并分步進行激光切割，不僅能夠有效防止碎屑、熔渣等殘留在芯粒邊緣，還能夠有效縮小熱影響區的產生范圍，可以顯著提高金屬襯底晶圓的切割良率和提高芯粒的封裝良率。
本發明授權一種金屬襯底晶圓的切割方法在權利要求書中公布了：1.一種金屬襯底晶圓的切割方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、在金屬襯底晶圓的背面蒸鍍金屬材料形成第一切割保護層； 所述第一切割保護層的厚度范圍為2000～5000nm； S2、在所述第一切割保護層上旋涂水溶性切割保護液，干燥后形成第二切割保護層； 所述第二切割保護層的厚度范圍為5000～10000nm； S3、采用第一激光光束在所述第二切割保護層上切割形成第一溝槽，所述第一溝槽從所述第二切割保護層的表面延伸至所述金屬襯底晶圓的表面； S4、采用第二激光光束沿所述第一溝槽的位置繼續切割形成第二溝槽，所述第二溝槽從所述金屬襯底晶圓的表面延伸至所述金屬襯底晶圓的內部； S5、清洗去除所述第二切割保護層，從而完成所述金屬襯底晶圓的背面切割。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人佛山市國星半導體技術有限公司，其通訊地址為：528226 廣東省佛山市南海區獅山鎮羅村朗沙廣東新光源產業基地內光明大道18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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