西安電子科技大學杭州研究院;西安電子科技大學李曉茜獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學杭州研究院;西安電子科技大學申請的專利基于氧化鎳量子點的氧化鎵日盲紫外探測器及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120152400B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510593617.7，技術領域涉及：H10F30/222；該發明授權基于氧化鎳量子點的氧化鎵日盲紫外探測器及制備方法是由李曉茜;周洋;吳志帆;韓根全設計研發完成，并于2025-05-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于氧化鎳量子點的氧化鎵日盲紫外探測器及制備方法在說明書摘要公布了：本方案提供了一種基于氧化鎳量子點的氧化鎵日盲紫外探測器及制備方法，包括以下步驟：S1：清洗并干燥生長有氧化鎵的襯底；S2：在氧化鎵表面刻蝕形成β?Ga2O3溝道；S3：在襯底上沉積疊層金屬作為電極，退火使得疊層金屬合金化以同氧化鎵形成歐姆接觸；S4：在電極之間旋涂p型NiO量子點，通過量子點集成引入p型NiO量子點與n型的β?Ga2O3構成pn異質結的氧化鎵紫外探測器，同時提高氧化鎵日盲紫外探測器的光響應度和響應速度。
本發明授權基于氧化鎳量子點的氧化鎵日盲紫外探測器及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于氧化鎳量子點的氧化鎵日盲紫外探測器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1：清洗并干燥生長有氧化鎵的襯底； S2：在氧化鎵表面刻蝕形成β-Ga2O3溝道，β-Ga2O3溝道間隔橫向排列在氧化鎵層，且溝道同襯底相通； S3：在襯底上沉積疊層金屬作為電極，退火使得疊層金屬合金化以同氧化鎵形成歐姆接觸； S4：在電極之間旋涂p型NiO量子點。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學杭州研究院;西安電子科技大學，其通訊地址為：311231 浙江省杭州市蕭山區蕭山經濟技術開發區錢農東路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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