杭州譜析光晶半導體科技有限公司許一力獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州譜析光晶半導體科技有限公司申請的專利一種優化源極漏極接觸的MOSFET半導體結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120091601B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510572048.8，技術領域涉及：H10D30/63；該發明授權一種優化源極漏極接觸的MOSFET半導體結構及其制備方法是由許一力;李鑫;劉倩倩設計研發完成，并于2025-05-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種優化源極漏極接觸的MOSFET半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及MOS半導體技術領域，且公開了一種優化源極漏極接觸的MOSFET半導體結構，包括漏極、半導體外延層、源極以及柵極，所述半導體外延層包括N襯底層、N漂移層、P阱層、N阱層以及P?層，所述P?層的內部設有源多晶硅，所述源多晶硅的頂端與源極歐姆接觸；所述N阱層的內部設有三個氧化金屬層，三個所述氧化金屬層的頂端與源極；所述漏極的內部還包括有若干個半圓金屬層，所述半圓金屬層與N襯底層歐姆接觸。本發明通過高濃度磷摻雜的重摻雜柵形成低阻通道，減少柵極電荷的充放電時間，并且摻雜柵提供額外的導電路徑，降低開關時間，提升功率轉換效率，減少熱損耗。
本發明授權一種優化源極漏極接觸的MOSFET半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種優化源極漏極接觸的MOSFET半導體結構，包括漏極1、半導體外延層、源極4以及柵極5，所述半導體外延層包括N襯底層2、N漂移層3、P阱層6、N阱層7以及P-層，其特征在于：所述P-層8的內部設有源多晶硅9，所述源多晶硅9的頂端與源極4歐姆接觸； 所述N阱層7的內部設有三個氧化金屬層10，三個所述氧化金屬層10的頂端與源極4接觸； 所述漏極1的內部還包括有若干個半圓金屬層11，所述半圓金屬層11與N襯底層2歐姆接觸； 所述半導體外延層的底端左右兩側均設有漏多晶硅12，所述漏多晶硅12的底端與漏極1接觸； 所述N襯底層2還包括有襯底層三23，其中所述襯底層三23的截面輪廓呈兩側凸起中間凹陷的形狀； 所述襯底層三23的中間凹陷處通過離子注入形成有四個重摻雜柵13。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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