江西兆馳半導體有限公司程龍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種高效發光二極管外延片及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116230823B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310366837.7，技術領域涉及：H10H20/816；該發明授權一種高效發光二極管外延片及制備方法是由程龍;鄭文杰;高虹;劉春楊;胡加輝;金從龍設計研發完成，并于2023-04-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高效發光二極管外延片及制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種高效發光二極管外延片及制備方法，發光二極管外延片包括襯底，以及依次沉積在襯底上的緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、N型電子阻擋層、多量子阱層、電子阻擋層和P型GaN層；N型電子阻擋層包括依次沉積在N型GaN層上的SiN層、AlaSi1?aN層以及超晶格層，超晶格層包括按預設周期依次交替沉積的Si摻AlbGa1?bN層和非摻AlxInyGa1?x?yN層。本發明通過在在N型GaN層與多量子阱層之間插入了一層N型電子阻擋層，降低電子的移動速度，有效的減少N型GaN層中電子沖過多量子阱層到達P型GaN層與空穴發生非輻射復合，提高電子與空穴在量子阱層輻射復合效率。
本發明授權一種高效發光二極管外延片及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高效發光二極管外延片，其特征在于，包括襯底，以及依次沉積在所述襯底上的緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、N型電子阻擋層、多量子阱層、電子阻擋層和P型GaN層； 所述N型電子阻擋層包括依次沉積在所述N型GaN層上的SiN層、AlaSi1-aN層以及超晶格層，所述超晶格層包括按預設周期依次交替沉積的Si摻AlbGa1-bN層和非摻AlxInyGa1-x-yN層； 在所述AlaSi1-aN層中Al含量沿所述外延片的生長方向逐漸升高，a的取值為0.01-1； 所述Si摻AlbGa1-bN層中b的取值為0-0.5； 所述非摻AlxInyGa1-x-yN層中x的取值為0-0.1，y的取值為0-0.1。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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