買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉華虹半導體(無錫)有限公司;上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利鍺硅異質結晶體管的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115498017B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211165264.3，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權鍺硅異質結晶體管的制造方法是由劉丙永;陳曦;黃景豐;楊繼業設計研發完成，并于2022-09-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本鍺硅異質結晶體管的制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種鍺硅異質結晶體管的制造方法，提供襯底，襯底上形成有STI以定義出有源區，在襯底上形成第一電介質層，在第一電介質層上形成第一多晶硅層，在多晶硅層上形成第二電介質層，之后通過光刻、刻蝕去除部分第二電介質層和第一多晶硅層，以形成位于有源區上的第一疊層，形成覆蓋第一疊層、第一電介質層的第三電介質層，之后刻蝕第三電介質層，用以在第一疊層的側壁形成側墻；在第一電介質層上形成覆蓋第一疊層、側墻的第二多晶硅層以及覆蓋第二多晶硅層的第四電介質層，通過刻蝕第四電介質層至側墻裸露。本發明的鍺硅異質結晶體管的制造方法降低了氮化硅懸掛側墻形成時對刻蝕工藝的要求，其工藝簡單，生產成本低。

本發明授權鍺硅異質結晶體管的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種鍺硅異質結晶體管的制造方法，其特征在于，至少包括： 步驟一、提供襯底，所述襯底上形成有STI以定義出有源區，在所述襯底上形成第一電介質層，在所述第一電介質層上形成第一多晶硅層，在所述多晶硅層上形成第二電介質層，之后通過光刻、刻蝕去除部分所述第二電介質層和所述第一多晶硅層，以形成位于所述有源區上的第一疊層，形成覆蓋所述第一疊層、所述第一電介質層的第三電介質層，之后刻蝕所述第三電介質層，用以在所述第一疊層的側壁形成側墻； 步驟二、在所述第一電介質層上形成覆蓋所述第一疊層、所述側墻的第二多晶硅層以及覆蓋所述第二多晶硅層的第四電介質層，通過光刻、刻蝕去除部分所述第四電介質層至所述側墻裸露，其中，以濕法刻蝕的方法刻蝕所述第四電介質層至所述側墻裸露； 步驟三、刻蝕去除所述第二電介質層和所述側墻，用以形成第一圖形結構； 步驟四、在所述第一圖形結構上形成第五電介質層，之后刻蝕所述第五電介質層至所述第一多晶硅層的上方； 步驟五、刻蝕去除所述第一多晶硅層，使得其下方的所述第一電介質層裸露，之后刻蝕裸露的所述第一電介質層形成倒T形的凹槽； 步驟六、在所述凹槽的底部形成外延層，之后在所述外延層上形成填充剩余所述凹槽的第三多晶硅層，用以形成第二圖形結構； 步驟七、刻蝕所述第二圖形結構以形成所需的器件結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華虹半導體(無錫)有限公司;上海華虹宏力半導體制造有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市新吳區新洲路30號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。