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龍圖騰網(wǎng)獲悉仲聯(lián)半導體(上海)有限公司;至訊創(chuàng)新科技(無錫)有限公司申請的專利半導體器件的制造方法以及存儲器的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116075154B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211099471.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/00；該發(fā)明授權(quán)半導體器件的制造方法以及存儲器的制造方法是由楊號號設計研發(fā)完成，并于2022-09-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體器件的制造方法以及存儲器的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導體器件的制造方法以及存儲器的制造方法，該方法包括：提供半導體襯底；在半導體襯底上形成絕緣層；絕緣層上形成多個柵極結(jié)構(gòu)；在相鄰的柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，以及被暴露的絕緣層上形成刻蝕阻擋層；對相鄰的柵極結(jié)構(gòu)之間空隙處的絕緣層以及半導體襯底進行干法刻蝕，形成多個溝槽；對溝槽的表面進行濕法刻蝕，在溝槽的側(cè)壁和底部形成氧化層；形成向下延伸至半導體襯底中的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；對柵極結(jié)構(gòu)上的柵介質(zhì)層以及柵極結(jié)構(gòu)中的部分硬掩膜層進行化學機械研磨，以露出柵極結(jié)構(gòu)；回蝕刻去除淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中的部分柵介質(zhì)層，以露出柵極結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁。該方法可以改善現(xiàn)有二維存儲器制造過程造成的柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁損傷問題。

本發(fā)明授權(quán)半導體器件的制造方法以及存儲器的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供半導體襯底； 在所述半導體襯底上形成絕緣層； 在所述絕緣層上形成多個柵極結(jié)構(gòu)； 在相鄰的所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，以及被暴露的絕緣層上形成刻蝕阻擋層； 對相鄰的柵極結(jié)構(gòu)之間空隙處的絕緣層以及半導體襯底進行干法刻蝕，形成多個溝槽； 對所述溝槽的表面進行濕法刻蝕，使得所述柵極結(jié)構(gòu)底部特征尺寸大于或等于有源區(qū)的頂部特征尺寸； 在所述溝槽的側(cè)壁和底部形成氧化層； 在所述刻蝕阻擋層和所述氧化層上形成柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層覆蓋相鄰的所述柵極結(jié)構(gòu)之間的空隙，以形成向下延伸至所述半導體襯底中的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)； 對所述柵極結(jié)構(gòu)上的柵介質(zhì)層以及所述柵極結(jié)構(gòu)中的部分硬掩膜層進行化學機械研磨，以露出所述柵極結(jié)構(gòu)； 回蝕刻去除所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中的部分柵介質(zhì)層，以露出所述柵極結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁； 對漏出的所述部分側(cè)壁進行濕法清洗。

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