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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所申請(qǐng)的專利一種熱電器件長(zhǎng)期服役性能預(yù)測(cè)方法及應(yīng)用獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115292992B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210855000.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/23；該發(fā)明授權(quán)一種熱電器件長(zhǎng)期服役性能預(yù)測(cè)方法及應(yīng)用是由柏勝?gòu)?qiáng);王雷;陳立東;宋慶峰;廖錦城;王超設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-07-20向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種熱電器件長(zhǎng)期服役性能預(yù)測(cè)方法及應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種熱電器件長(zhǎng)期服役性能預(yù)測(cè)方法及應(yīng)用，包括：通過實(shí)驗(yàn)獲得熱電材料表面升華動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)、熱電材料電極界面反應(yīng)層增厚動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)和熱電材料電極界面的界面電阻率數(shù)據(jù)；建立熱電臂基體與熱電材料表面升華分解層的控制分界線方程，在確定的熱電材料和服役溫度下，獲得控制分界線的參數(shù)坐標(biāo)；結(jié)合材料物性參數(shù)對(duì)溫度的依賴性，基于熱電臂基體與分解層的分界線控制方程構(gòu)建幾何模型，基于界面電阻率與溫度和時(shí)間的關(guān)系設(shè)置電場(chǎng)中的界面電阻率，改變參數(shù)，利用仿真計(jì)算軟件的熱電效應(yīng)物理場(chǎng)進(jìn)行數(shù)值計(jì)算，得到在不同服役溫度下熱電器件長(zhǎng)期性能預(yù)測(cè)值。根據(jù)本發(fā)明，能基于熱電材料性能衰減實(shí)現(xiàn)器件長(zhǎng)期服役性能預(yù)測(cè)。

本發(fā)明授權(quán)一種熱電器件長(zhǎng)期服役性能預(yù)測(cè)方法及應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種熱電器件長(zhǎng)期服役性能預(yù)測(cè)方法，包括： 通過實(shí)驗(yàn)獲得熱電材料表面升華動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)、熱電材料電極界面反應(yīng)層增厚動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)和熱電材料電極界面的界面電阻率數(shù)據(jù)； 建立熱電臂基體與熱電材料表面升華分解層的控制分界線方程為y=d-f 1T，t，在確定的熱電材料和服役溫度下，熱電臂內(nèi)的溫度分布為T=gy，控制分界線的參數(shù)坐標(biāo)為d-f 1gy，t，y，其中，d為熱電臂邊緣距熱電臂中心線的垂直距離，y為熱電臂的高度位置，g函數(shù)通過熱電效應(yīng)仿真獲得或線性假設(shè)獲得； 結(jié)合材料物性參數(shù)對(duì)溫度的依賴性，基于熱電臂基體與熱電材料表面升華分解層的分界線控制方程構(gòu)建幾何模型，基于界面電阻率與溫度和時(shí)間的關(guān)系設(shè)置電場(chǎng)中的界面電阻率，改變參數(shù)，利用商用仿真軟件的熱電效應(yīng)物理場(chǎng)進(jìn)行數(shù)值計(jì)算，得到在不同服役溫度下熱電器件長(zhǎng)期性能預(yù)測(cè)值； 熱電材料表面升華動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)為熱電材料表面升華分解層的厚度隨溫度和時(shí)間的變化關(guān)系l DL =f 1T，t，其中，l DL為熱電材料表面升華分解層的厚度，T為溫度，t為時(shí)間； 熱電材料電極界面反應(yīng)層增厚動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)為熱電材料電極界面反應(yīng)層的厚度隨溫度和時(shí)間的變化關(guān)系l IRL =f 2T，t，其中，l IRL為熱電材料電極界面反應(yīng)層的厚度，T為溫度，t為時(shí)間； 熱電材料電極界面的界面電阻率在物理模型邊界條件下為，其中a，b基于熱電材料電極界面的界面電阻率與熱電材料電極界面反應(yīng)層的厚度進(jìn)行線性函數(shù)擬合而獲得。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所，其通訊地址為：200050 上海市長(zhǎng)寧區(qū)定西路1295號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。