中國科學院上海微系統與信息技術研究所王長獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院上海微系統與信息技術研究所申請的專利單窄通二維封閉式表面波光子晶體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116093561B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111304419.2，技術領域涉及：H01P1/20；該發明授權單窄通二維封閉式表面波光子晶體結構是由王長;鄭永輝;譚智勇;張真真;曹俊誠設計研發完成，并于2021-11-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本單窄通二維封閉式表面波光子晶體結構在說明書摘要公布了：本發明提供一種單窄通二維封閉式表面波光子晶體結構，通過第一金屬板、周圍金屬柱、缺陷金屬柱及缺陷金屬柱與第一金屬板的間隔構成了表面波光子晶體結構，且通過第二金屬板，形成封閉式表面波光子晶體結構，提高光子晶體的抗干擾能力；另外，通過使周圍金屬柱呈行和列等間距排布；缺陷金屬柱呈列排布，或缺陷金屬柱呈連通的行和列排布的L型；缺陷金屬柱兩側均與周圍金屬柱相鄰，且兩缺陷金屬柱之間的間隔是相鄰兩周圍金屬柱之間間隔的兩倍；缺陷金屬柱與相鄰的周圍金屬柱之間的間距與呈行和列等間距排布的兩相鄰所述周圍金屬柱之間的間距相等，可解決二維封閉式表面波光子晶體結構的帶內震蕩的問題，減小光子晶體結構的帶寬及帶內頻率震蕩。
本發明授權單窄通二維封閉式表面波光子晶體結構在權利要求書中公布了：1.一種單窄通二維封閉式表面波光子晶體結構，其特征在于，所述光子晶體結構包括： 依次層疊的第一金屬板、金屬柱陣列及第二金屬板； 所述金屬柱陣列包括周圍金屬柱及缺陷金屬柱；所述周圍金屬柱的兩端分別與所述第一金屬板及所述第二金屬板相接觸；所述周圍金屬柱呈行和列等間距排布；所述缺陷金屬柱呈列排布，或所述缺陷金屬柱呈連通的行和列排布的L型；所述缺陷金屬柱兩側均與所述周圍金屬柱相鄰，且相鄰兩缺陷金屬柱之間的間隔是相鄰兩周圍金屬柱之間間隔的兩倍；所述缺陷金屬柱與相鄰的所述周圍金屬柱之間的間距與呈行和列等間距排布的兩相鄰所述周圍金屬柱之間的間距相等； 所述缺陷金屬柱的高度小于所述周圍金屬柱的高度，所述缺陷金屬柱的橫截面積小于所述周圍金屬柱的橫截面積； 所述金屬柱陣列中的所有所述周圍金屬柱均相同，所述金屬柱陣列中的所有所述缺陷金屬柱也均相同。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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