環(huán)球晶圓股份有限公司蔡子萱獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉環(huán)球晶圓股份有限公司申請的專利碳化硅晶片的拋光方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114388347B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111210832.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)碳化硅晶片的拋光方法是由蔡子萱;施英汝;楊詠皓;吳偉立設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-10-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本碳化硅晶片的拋光方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種碳化硅晶片的拋光方法，包括提供一碳化硅晶片，所述碳化硅晶片包括一碳面與一硅面。對所述碳面與所述硅面其中至少一者進行摻雜，以改變被摻雜面的氧化能力。在所述摻雜后對碳化硅晶片進行化學機械拋光，其中所述硅面的移除速率大于或等于所述碳面的移除速率。
本發(fā)明授權(quán)碳化硅晶片的拋光方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種碳化硅晶片的拋光方法，其特征在于，包括： 提供碳化硅晶片，所述碳化硅晶片包括碳面與硅面； 對所述碳面與所述硅面其中至少一者進行摻雜，以在被摻雜面內(nèi)形成摻雜層并且改變所述被摻雜面的氧化能力，所述摻雜的步驟包括：對所述硅面進行P型摻質(zhì)的摻雜，以增加所述硅面的氧化速率；對所述碳面進行N型摻質(zhì)的摻雜，以降低所述碳面的氧化速率；以及 在所述摻雜后對所述碳化硅晶片進行化學機械拋光，其中所述硅面的移除速率大于或等于所述碳面的移除速率。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人環(huán)球晶圓股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市科學工業(yè)園區(qū)工業(yè)東二路8號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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