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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利一種基于自旋軌道矩的神經元器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113657586B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110840235.1，技術領域涉及：G06N3/063；該發明授權一種基于自旋軌道矩的神經元器件是由邢國忠;王迪;林淮;劉龍;劉明設計研發完成，并于2021-07-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于自旋軌道矩的神經元器件在說明書摘要公布了：本公開提供了一種基于自旋軌道矩的神經元器件，包括：依次形成在基底上的反鐵磁釘扎層、第一鐵磁層及自旋軌道耦合層；形成在自旋軌道耦合層上并根據自旋軌道矩使磁疇壁移動的自由層；形成在自由層上的隧穿層；形成在自由層兩側并具有相反磁化方向的左釘扎層與右釘扎層；形成在隧穿層上的參考層；其中，自由層、隧穿層及參考層構成磁性隧道結，該磁性隧道結用于讀取神經元信號。本公開還提供了一種基于自旋軌道矩的神經元器件的制備方法。

本發明授權一種基于自旋軌道矩的神經元器件在權利要求書中公布了：1.一種基于自旋軌道矩的神經元器件，其特征在于，包括： 依次形成在基底上的反鐵磁釘扎層（111）、第一鐵磁層（110）及自旋軌道耦合層（109）； 形成在所述自旋軌道耦合層（109）上并根據自旋軌道矩使磁疇壁移動的自由層（107）； 形成在所述自由層（107）上的隧穿層（103）； 形成在所述自由層（107）兩側并具有相反磁化方向的左釘扎層（102）與右釘扎層（106）； 形成在所述隧穿層（103）上的參考層（104）；其中，所述自由層（107）、所述隧穿層（103）及所述參考層（104）構成磁性隧道結，所述磁性隧道結用于讀取神經元信號； 所述自旋軌道耦合層（109）由Ta、W、Mo中的一種或多種材料構成； 形成在所述反鐵磁釘扎層（111）及所述第一鐵磁層（110）之間的第二鐵磁層（113）； 在所述自旋軌道耦合層（109）未設置有自由層（107）的上表面兩側設置左電極（101）和右電極（108）； 所述自旋軌道耦合層（109）用于實現神經元的積累和泄露特性； 其中，在所述自旋軌道耦合層（109）通入電流時，基于自旋霍爾效應產生垂直方向的自旋流，在所述自旋軌道矩的作用下，實現疇壁的運動，模擬生物神經元的積累特性；在所述自旋軌道耦合層（109）沒有電流時，所述自由層（107）和所述第一鐵磁層（110）通過所述自旋軌道耦合層（109）的RKKY作用鐵磁或反鐵磁的耦合起來，使得所述自由層（107）中疇壁存在與電流驅動方向相反的運動趨勢，實現生物神經元的泄露特性。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。