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龍圖騰網(wǎng)獲悉勝高股份有限公司申請(qǐng)的專利晶片研磨方法及晶片研磨裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116075921B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202180061818.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/304；該發(fā)明授權(quán)晶片研磨方法及晶片研磨裝置是由太田廣樹;中野裕生設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-07-01向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本晶片研磨方法及晶片研磨裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供使用研磨裝置對(duì)晶片進(jìn)行研磨的晶片研磨方法。上述晶片研磨方法包括：關(guān)于研磨對(duì)象晶片或被實(shí)施了與研磨對(duì)象晶片相同的加工處理的晶片，取得面內(nèi)厚度分布信息；基于上述面內(nèi)厚度分布信息，確定通過向研磨頭的空間部的中央?yún)^(qū)域?qū)霘怏w而對(duì)研磨對(duì)象晶片的中央部施加的壓力Pc與通過向空間部的外周區(qū)域?qū)霘怏w而對(duì)研磨對(duì)象晶片的外周部施加的壓力Pe的壓力差；確定Pc及Pe的某一方的壓力，基于已確定的壓力及上述壓力差，確定另一方的壓力；基于在研磨時(shí)通過與研磨墊接觸而對(duì)研磨墊的第2環(huán)狀部件的下表面施加的接觸壓力的設(shè)定值Pr，確定通過推壓研磨頭的頭主體部而從頭主體部向下方施加的壓力Pg；以及通過在施加了已確定的Pg、Pc及Pe的狀態(tài)下使研磨對(duì)象晶片的下表面與研磨墊接觸，進(jìn)行研磨。

本發(fā)明授權(quán)晶片研磨方法及晶片研磨裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種晶片研磨方法，使用研磨裝置對(duì)晶片進(jìn)行研磨，其特征在于， 前述研磨裝置具有研磨頭以及研磨墊， 前述研磨頭具有頭主體部、第1環(huán)狀部件、板狀部件、膜片、第2環(huán)狀部件，前述第1環(huán)狀部件位于前述頭主體部的下方，具有開口部，前述板狀部件將前述第1環(huán)狀部件的上表面?zhèn)乳_口部封閉，前述膜片將前述第1環(huán)狀部件的下表面?zhèn)乳_口部封閉，前述第2環(huán)狀部件位于前述膜片的下方，保持研磨對(duì)象晶片， 前述研磨墊在研磨時(shí)供研磨對(duì)象晶片的下表面及前述第2環(huán)狀部件的下表面接觸， 前述第1環(huán)狀部件的開口部被前述板狀部件和前述膜片封閉而形成的空間部具有中央?yún)^(qū)域和與該中央?yún)^(qū)域分隔的外周區(qū)域， 所述晶片研磨方法包括： 關(guān)于研磨對(duì)象晶片或被實(shí)施了與研磨對(duì)象晶片相同的加工處理的晶片，取得面內(nèi)厚度分布信息； 基于前述面內(nèi)厚度分布信息，確定Pc與Pe的壓力差，前述Pc為通過向前述中央?yún)^(qū)域?qū)霘怏w而對(duì)研磨對(duì)象晶片的中央部施加的壓力，前述Pe為通過向前述外周區(qū)域?qū)霘怏w而對(duì)研磨對(duì)象晶片的外周部施加的壓力； 確定Pc及Pe的某一方的壓力，基于已確定的壓力及前述壓力差，確定另一方的壓力； 基于Pr確定Pg，前述Pr為研磨時(shí)通過與前述研磨墊接觸而對(duì)前述第2環(huán)狀部件的下表面施加的接觸壓力的設(shè)定值，前述Pg為通過推壓前述頭主體部而從前述頭主體部向下方施加的壓力； 通過在施加了已確定的前述Pg、Pc及Pe的狀態(tài)下使研磨對(duì)象晶片的下表面與前述研磨墊接觸，進(jìn)行研磨。

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