臺灣積體電路制造股份有限公司林士堯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113206084B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011390390.X，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權半導體器件及其形成方法是由林士堯;周昀亭;林志翰;林志忠設計研發完成，并于2020-12-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件及其形成方法。一種實施例器件包括：第一源極漏極區域，位于半導體襯底之上；以及虛設鰭，與第一源極漏極區域相鄰。虛設鰭包括：第一部分，包括第一膜；以及第二部分，位于第一部分之上，其中，第二部分包括第二膜和第三膜。第三膜在第一膜和第二膜之間，并且第三膜是由與第一膜和第二膜不同的材料制成的。第二部分的寬度小于第一部分的寬度。器件還包括：柵極堆疊，沿著虛設鰭的側壁。
本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括： 第一源極漏極區域，位于半導體襯底之上； 虛設鰭，與所述第一源極漏極區域相鄰，所述虛設鰭包括： 第一部分，包括第一膜；以及 第二部分，位于所述第一部分之上，所述第二部分的寬度小于所述第一部分的寬度，其中，所述第二部分包括： 第二膜；以及 第三膜，位于所述第一膜和所述第二膜之間，所述第三膜是由與所述第一膜和所述第二膜不同的材料制成的；以及 柵極堆疊，沿著所述虛設鰭的側壁， 其中，所述第二膜的最底部在所述第一膜的最頂部之上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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