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龍圖騰網獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請的專利一種半導體器件以及半導體器件制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112466847B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011338461.1，技術領域涉及：H01L23/528；該發明授權一種半導體器件以及半導體器件制備方法是由邢庸宇設計研發完成，并于2020-11-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件以及半導體器件制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件以及半導體器件制備方法，該半導體器件在接觸孔中設置有接觸焊盤結構，該接觸焊盤結構設置為包括第一接觸墊、隨形覆蓋第一接觸墊的第二接觸墊以及位于第二接觸墊上的接觸塞，第一接觸墊與基底中的有源區充分接觸，可以有效降低接觸電阻，并且，通過設置疊層結構的接觸墊，第一接觸墊可以作為第二接觸墊的緩沖層，避免第二接觸墊中的摻雜離子滲透進基底中，影響導電性；另外，接觸孔中的空隙形成于第一接觸墊與接觸孔的一側側壁之間，可以有效降低空隙對導電性的影響，從而有利于極大的提高半導體器件的導電特性。

本發明授權一種半導體器件以及半導體器件制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 基底，所述基底至少包括有源區和淺溝槽隔離區； 位線結構，所述位線結構位于所述基底上并在第一方向上延伸，所述位線結構包括：位線以及位于所述位線上的絕緣介質層； 位線接觸塞，所述位線結構通過所述位線接觸塞與所述基底接觸； 隔離圍欄，所述隔離圍欄位于相鄰所述位線結構之間并在所述第一方向上間隔設置； 接觸孔，所述接觸孔位于在第二方向上相鄰所述位線結構和在第一方向上相鄰所述隔離圍欄限定的區域中，其中，所述第二方向與所述第一方向垂直，所述接觸孔的底部延伸至所述基底內并至少暴露出部分所述有源區和部分所述淺溝槽隔離區； 接觸焊盤結構，所述接觸焊盤結構位于所述接觸孔內，所述接觸焊盤結構包括第一接觸墊、隨形覆蓋所述第一接觸墊的第二接觸墊以及位于所述第二接觸墊上的接觸塞，所述第一接觸墊與所述接觸孔的一側側壁之間形成有空隙，所述空隙暴露所述淺溝槽隔離區的部分頂面，且所述空隙的最底面低于所述有源區的最頂面，所述空隙的最頂面低于所述位線的最頂面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學園聯華大道88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。