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龍圖騰網獲悉思瑞浦微電子科技(蘇州)股份有限公司申請的專利模擬開關電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112003596B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011079950.X，技術領域涉及：H03K17/16；該發明授權模擬開關電路是由柯可人;張富強設計研發完成，并于2020-10-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本模擬開關電路在說明書摘要公布了：本發明揭示了一種模擬開關電路，所述電路包括：若干開關支路，每條開關支路包括NMOS管、PMOS管及負壓保護單元，所述NMOS管的源極和漏極分別與兩個端口電性連接，PMOS管的漏極和源極分別與兩個端口電性連接，NMOS管和PMOS管的柵極控制信號分別為VCN和VCP，NMOS管為基于深n阱的MOS管，襯底電壓為NBULK，負壓保護單元用于將NMOS管的襯底電壓NBULK配置為兩個端口電壓的較小者。本發明的模擬開關電路可以在負壓中應用，并且可以實現負壓保護功能，且電路簡單，節省了芯片面積；消除了MOS管的體效應，減小了MOS管的導通電阻和導通阻抗變化，提高了MOS管導通的THD性能，同時解決了關閉的開關支路漏電的問題；整個開關電路無需額外的靜態功耗，可實現0靜態功耗。

本發明授權模擬開關電路在權利要求書中公布了：1.一種模擬開關電路，其特征在于，所述電路包括： 若干開關支路，每條開關支路包括NMOS管、PMOS管及負壓保護單元，所述NMOS管的源極和漏極分別與兩個端口電性連接，PMOS管的漏極和源極分別與兩個端口電性連接，NMOS管和PMOS管的柵極控制信號分別為VCN和VCP，NMOS管為基于深n阱的MOS管，襯底電壓為NBULK，負壓保護單元用于將NMOS管的襯底電壓NBULK配置為兩個端口電壓的較小者； 第一開關支路，電性連接于第一端口和第三端口之間，包括第一NMOS管、第一PMOS管及第一負壓保護單元，所述第一NMOS管的源極和漏極分別與第一端口和第三端口電性連接，第一PMOS管的源極和漏極分別與第三端口和第一端口電性連接，第一NMOS管和第一PMOS管的柵極控制信號分別為VCN1和VCP1，第一NMOS管為基于深n阱的MOS管，襯底電壓為NBULK1，第一負壓保護單元用于將第一NMOS管的襯底電壓NBULK1配置為第一端口電壓和第三端口電壓的較小者； 第二開關支路，電性連接于第二端口和第三端口之間，包括第二NMOS管、第二PMOS管及第二負壓保護單元，所述第二NMOS管的源極和漏極分別與第二端口和第三端口電性連接，第二PMOS管的源極和漏極分別與第三端口和第二端口電性連接，第二NMOS管和第二PMOS管的柵極控制信號分別為VCN2和VCP2，第二NMOS管為基于深n阱的MOS管，襯底電壓為NBULK2，第二負壓保護單元用于將第二NMOS管的襯底電壓NBULK2配置為第二端口電壓和第三端口電壓的較小者； 所述第一負壓保護單元包括第三NMOS管和第四NMOS管，其中，第三NMOS管的柵極與第一NMOS管的源極相連，第三NMOS管的漏極與第一端口相連，第三NMOS管的源極和第四NMOS管的源極均與襯底電壓NBULK1相連，第四NMOS管的柵極與第一NMOS管的漏極相連，第四NMOS管的漏極與第三端口相連，第三NMOS管的襯底和第四NMOS管的襯底與第一NMOS管的襯底相連； 所述第二負壓保護單元包括第六NMOS管和第七NMOS管，其中，第六NMOS管的柵極與第二NMOS管的源極相連，第六NMOS管的漏極與第二端口相連，第六NMOS管的源極和第七NMOS管的源極均與襯底電壓NBULK2相連，第七NMOS管的柵極與第二NMOS管的漏極相連，第七NMOS管的漏極與第三端口相連，第六NMOS管的襯底和第七NMOS管的襯底與第二NMOS管的襯底相連； 所述第一NMOS管的柵極控制信號VCN1由高電平AVDD和低電平NBULK1控制； 第一PMOS管的柵極控制信號VCP1由高電平AVDD和低電平0控制； 所述第二NMOS管的柵極控制信號VCN2由高電平AVDD和低電平NBULK2控制； 第二PMOS管的柵極控制信號VCP2由高電平AVDD和低電平0控制。

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