福建省晉華集成電路有限公司張欽福獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請的專利半導體存儲器獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114420694B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210062077.6,技術領域涉及:H10B12/00;該發明授權半導體存儲器是由張欽福;林昭雄;朱家儀;童宇誠;賴惠先設計研發完成,并于2020-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體存儲器在說明書摘要公布了:本發明提供了一種半導體存儲器件,包括半導體基板,其具有存儲區以及位于所述存儲區周圍的外圍區和多條字線結構,其中位于存儲單元區邊緣的有源區僅和一條字線結構相交,避免邊緣的有源區由于其性能不穩定而使得整個存儲器件的性能受到影響。以及,器件的存儲單元區與外圍區具有同樣的單元設置,可以解決圖形密度不同所導致的微負載效應問題并讓出更多的存儲單元區域。
本發明授權半導體存儲器在權利要求書中公布了:1.一種半導體存儲器件,其特征在于,包含: 半導體基板,具有存儲單元區以及位于所述存儲單元區周圍的外圍區; 器件隔離層,界定出多個沿著第三方向延伸的有源區,其中一部分有源區完全位于所述存儲單元區內而構成第一有源區,還有一部分有源區位于所述存儲單元區的邊緣并延伸至外圍區而構成第二有源區;以及, 多條字線結構,埋入在所述半導體基板中并沿著第一方向延伸,其中所述第一有源區和兩條字線結構相交,所述第二有源區和一條字線結構相交; 位線結構,位于所述半導體基板之上,并往第二方向延伸經過所述存儲單元區與所述外圍區; 間隔物結構,位于所述位線結構之間; 存儲節點接觸結構,位于所述存儲單元區中的所述間隔物結構與所述位線結構所界定出的空間中,并與所述半導體基板中的部分有源區連接;以及 犧牲層,位于所述外圍區中的所述間隔物結構與所述位線結構所界定出的空間中; 其中,所述第二有源區中位于所述存儲單元區的端部上連接有所述存儲節點接觸結構,所述第二有源區中位于所述外圍區的端部上方形成有所述犧牲層。
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