臺灣積體電路制造股份有限公司蔡伊甄獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112670409B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010460082.3，技術領域涉及：H10D1/68；該發明授權半導體結構及其形成方法是由蔡伊甄;曾元泰;徐晨祐設計研發完成，并于2020-05-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明實施例涉及半導體結構及其形成方法。根據本發明的一些實施例，一種半導體結構包含：襯底；第一電極，其位于所述襯底上方；第二電極，其位于所述第一電極上方；及第一絕緣層，其介于所述第一電極與所述第二電極之間。所述第一絕緣層具有第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第一絕緣層的所述第二部分與所述第二電極接觸，所述第一部分通過所述第二部分來與所述第二電極分離。所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其包括： 襯底； 第一電極，其位于所述襯底上方； 第二電極，其位于所述第一電極上方； 第一絕緣層，其介于所述第一電極與所述第二電極之間， 其中所述第一絕緣層具有第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第一絕緣層的所述第二部分與所述第二電極接觸，所述第一部分通過所述第二部分來與所述第二電極分離，且所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度，所述第二部分具有由所述第二電極暴露的頂表面及耦合所述頂表面和所述第一部分的側壁，所述第一部分的頂表面和所述第二部分的所述側壁形成第一角落，且所述第二部分的所述頂表面和所述第二電極的側壁形成第二角落；及 第三電極，其位于所述第二電極上方且具有一上部及分別接觸所述上部的兩側壁的一第一下部和一第二下部，其中所述上部的底面高于所述第二電極的最頂面，所述第一下部的底面和所述第二下部的底面低于所述第二電極的所述最頂面，所述第一下部的側壁對齊所述第一絕緣層的第一側壁，且所述第二下部的側壁對齊所述第一絕緣層的第二側壁。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市新竹科學工業園力行六路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號