北京弘光向尚科技有限公司李志偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京弘光向尚科技有限公司申請的專利一種用于硅光芯片的不同材料的波導交叉器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120065415B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510531456.9，技術領域涉及：G02B6/125；該發明授權一種用于硅光芯片的不同材料的波導交叉器件是由李志偉;袁曉君設計研發完成，并于2025-04-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種用于硅光芯片的不同材料的波導交叉器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種用于硅光芯片的不同材料的波導交叉器件，其包括相互交叉的上層波導和下層波導，下層波導依次包括第一寬度固定段、第一寬度漸變段、第二寬度固定段、第二寬度漸變段、第三寬度固定段；第一寬度漸變段和第二寬度漸變段呈線性漸變梯形結構，第一寬度漸變段的寬度從第二寬度固定段開始逐漸變小，直至其寬度與第二寬度固定段的寬度相同；第二寬度漸變段的寬度從所述第二寬度固定段開始逐漸變大，直至其寬度與所述第三寬度固定段的寬度相同。本發明的波導交叉結構設計，實現了在硅基波導的低傳輸損耗、低反射，以及和氮化硅波導之間的低串擾。
本發明授權一種用于硅光芯片的不同材料的波導交叉器件在權利要求書中公布了：1.一種用于硅光芯片的不同材料的波導交叉器件，其包括相互交叉的上層波導和下層波導，其特征在于：所述下層波導依次包括第一寬度固定段、第一寬度漸變段、第二寬度固定段、第二寬度漸變段、第三寬度固定段；所述第一寬度漸變段和第二寬度漸變段呈線性漸變梯形結構，所述第一寬度漸變段的寬度從所述第二寬度固定段開始逐漸變小，直至其寬度與所述第二寬度固定段的寬度相同；所述第二寬度漸變段的寬度從所述第二寬度固定段開始逐漸變大，直至其寬度與所述第三寬度固定段的寬度相同；所述第二寬度固定段位于所述上層波導的下方，其長度與所述上層波導的寬度相同；所述第二寬度固定段的寬度為300nm；所述第一寬度漸變段和第二寬度漸變段的長度相同，為50μm-500μm。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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