江蘇富樂華半導體科技股份有限公司;江蘇富樂華功率半導體研究院有限公司王斌獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江蘇富樂華半導體科技股份有限公司;江蘇富樂華功率半導體研究院有限公司申請的專利一種氮化硅瓷片及其表面處理工藝獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119930326B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510114756.7,技術領域涉及:C04B41/87;該發明授權一種氮化硅瓷片及其表面處理工藝是由王斌;沈嘉偉;葛荘;朱銳;石亮;丁穎穎設計研發完成,并于2025-01-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種氮化硅瓷片及其表面處理工藝在說明書摘要公布了:本發明涉及半導體表面處理技術領域,具體為一種氮化硅瓷片及其表面處理工藝。包括以下步驟:步驟1:將氮化硅陶瓷坯體進行燒結,得到氮化硅陶瓷;步驟2:將氮化硅陶瓷依次進行激光預處理、雙面磨工藝,得到預處理氮化硅瓷片;步驟3:將預處理氮化硅瓷片浸入酸蝕液中,進行酸蝕處理,得到氮化硅瓷片A;步驟4:將氮化硅瓷片A進行一次清洗,得到氮化硅瓷片B;步驟5:將氮化硅瓷片B進行二次清洗,得到氮化硅瓷片C;步驟6:將氮化硅瓷片C表面鍍制一層碳化硅改性薄膜;以此得到一種氮化硅瓷片。
本發明授權一種氮化硅瓷片及其表面處理工藝在權利要求書中公布了:1.一種氮化硅瓷片的表面處理工藝,其特征在于:包括以下步驟: 步驟1:將氮化硅陶瓷坯體進行燒結,得到氮化硅陶瓷; 步驟2:將氮化硅陶瓷依次進行激光預處理、雙面磨工藝,得到預處理氮化硅瓷片; 步驟3:將預處理氮化硅瓷片浸入酸蝕液中,進行酸蝕處理,得到氮化硅瓷片A; 步驟4:將氮化硅瓷片A進行一次清洗,得到氮化硅瓷片B; 步驟5:將氮化硅瓷片B進行二次清洗,得到氮化硅瓷片C; 步驟6:將氮化硅瓷片C表面鍍制一層碳化硅改性薄膜,得到氮化硅瓷片; 所述氮化硅陶瓷的原料包括:100份α-氮化硅、12~15份改性氮化鈦、8~10份助燒結劑;所述助燒結劑包括質量比為0.8~1.2:0.8~1.2的氟化鎂、三氧化二釔; 所述改性氮化鈦的制備方法為: S1-1:將質量比為2.1:2.3~3.4的乙烯基二茂鐵、巰基硅烷偶聯劑加入至四氫呋喃中,加入偶氮二異丁腈,紫外光照下攪拌2~4小時,減壓蒸餾除去溶劑,得到二茂鐵基偶聯劑; S1-2:按重量份數計,將1~2份氮化鈦加入至80~85wt%的乙醇水溶液中,得到0.1~0.2gmL分散液;加入2.5~5份納米氧化鋁溶膠超聲分散;在800~2000rmin下攪拌均勻,加入0.5~1份二茂鐵基偶聯劑,攪拌4~5小時,離心、干燥,得到改性氮化鈦。
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