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龍圖騰網獲悉武漢國科光領半導體科技有限公司申請的專利一種直接調制激光器陣列芯片及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119742661B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411939837.2，技術領域涉及：H01S5/40；該發明授權一種直接調制激光器陣列芯片及其制作方法是由姚廣峰;付文鋒設計研發完成，并于2024-12-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種直接調制激光器陣列芯片及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種直接調制激光器陣列芯片及其制作方法，涉及半導體激光器制作的技術領域，該直接調制激光器陣列芯片中設置至少兩個輸入路徑和一個輸出路徑，所有輸入路徑共同耦合到一個輸出路徑中，形成激光器陣列，每個輸入路徑中設置一個激光器單元以及一個能夠與之形成等效FP反饋腔的光柵結構，光柵結構均通過按照預定的圖案對光柵材料刻蝕形成，且刻蝕穿過光柵結構并延伸至下方的間隔層中；本申請中的技術方案能夠在激光器陣列中引入了光光諧振效應的同時，通過電子束曝光和干法刻蝕相結合的方式在單次刻蝕中獲得具有不同反射率的多個光柵結構，減小了芯片制作的工藝復雜度。

本發明授權一種直接調制激光器陣列芯片及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種直接調制激光器陣列芯片的制作方法，其特征在于，該方法包括： 步驟1，準備襯底（10），在襯底（10）設置至少兩個輸入路徑和一個輸出路徑，所有輸入路徑共同耦合到輸出路徑中，在單個輸入路徑上從遠離耦合位置的一端開始依次設置第一分布布拉格反射區、激光器區、無源波導區和第二分布布拉格反射區，將剩余的輸入路徑與輸出路徑連接的區域作為合波器區； 步驟2，在襯底（10）上依次生長量子阱層（30）、第一間隔層（41）和第一光柵層，選擇性去除無源波導區、第二分布布拉格反射區和合波器區所生長的材料； 步驟3，在無源波導區、第二分布布拉格反射區和合波器區所在的整體區域內，從下至上依次對接生長波導層（60）、第二間隔層（42）和第二光柵層，其中，令第二光柵層的厚度小于第一光柵層的厚度；不同的輸入路徑上設置不同厚度的第一光柵層和第二光柵層； 步驟4，采用電子束在第一光柵層和第二光柵層上設置預定圖案，按照預定圖案分別從第一光柵層和第二光柵層開始向下刻蝕，刻蝕穿過第一光柵層和第二光柵層并分別延伸至下方的第一間隔層（41）和第二間隔層（42）中，形成第一圖案化光柵層（51）和第二圖案化光柵層（52）； 步驟5，在由量子阱層（30）、間隔層（41）、第一圖案化光柵層（51）、波導層（60）、第二間隔層（42）和第二圖案化光柵層（52）構成的整個功能層上方依次生長包層（70）和接觸層（80）； 步驟6，對于每條輸入路徑，在激光器區的接觸層（80）上方制作第一電極（91），在第二分布布拉格反射區的接觸層（80）上方制作第二電極（92）。

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