福建兆元光電有限公司馬野獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉福建兆元光電有限公司申請的專利一種MOCVD腔體保養(yǎng)恢復(fù)方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN116356283B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202310168059.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:C23C16/44;該發(fā)明授權(quán)一種MOCVD腔體保養(yǎng)恢復(fù)方法是由馬野;馬昆旺;劉恒山;宋水燕;賀衛(wèi)群設(shè)計研發(fā)完成,并于2023-02-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種MOCVD腔體保養(yǎng)恢復(fù)方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及LED芯片技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種MOCVD腔體保養(yǎng)恢復(fù)方法,包括如下步驟:S2:設(shè)定反應(yīng)腔溫度1000℃?1200℃,壓力150Torr?300Torr,持續(xù)30?60分鐘;S3:向反應(yīng)腔中通入三乙基鎵和CP2Mg,持續(xù)15?30分鐘;S4:向反應(yīng)腔中通入三乙基鎵和CP2Mg;持續(xù)60?90分鐘;本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明中的將烘烤溫度以及時間設(shè)置在適合清除反應(yīng)腔的薄膜中容易摻Mg的雜質(zhì)的區(qū)間內(nèi)。故本發(fā)明的方法使用更少的工序以及更少的時間使后續(xù)生產(chǎn)的LED芯片中的Mg的摻雜濃度得到更多的提高,進而使生產(chǎn)LED芯片的工序使用更少的成本而得到質(zhì)量盡可能高的LED芯片。
本發(fā)明授權(quán)一種MOCVD腔體保養(yǎng)恢復(fù)方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種MOCVD腔體保養(yǎng)恢復(fù)方法,其特征在于,包括如下步驟: S1:將H2和N2作為MOCVD的反應(yīng)腔的載氣,設(shè)定反應(yīng)腔溫度500℃-800℃,持續(xù)45-120分鐘; S2:設(shè)定反應(yīng)腔溫度1000℃-1200℃,壓力150Torr-300Torr,向反應(yīng)腔中通入35000-45000sccm的H2和10000-20000sccm的N2和50000-60000sccm的NH3,持續(xù)30-60分鐘; S3:將H2和N2作為反應(yīng)腔的載氣,NH3作為反應(yīng)腔的反應(yīng)氣體,并向反應(yīng)腔中通入750-1000sccm的三乙基鎵和1000-2000sccm的CP2Mg,持續(xù)15-30分鐘; 所述S3具體為:設(shè)定反應(yīng)腔溫度900℃-1000℃,壓力200Torr-400Torr,向反應(yīng)腔中通入7500-15000sccm的H2、7500-15000sccm的N2、20000-30000sccm的NH3、750-1000sccm的三乙基鎵和1000-2000sccmCP2Mg,持續(xù)15-30分鐘; S4:將H2和N2作為反應(yīng)腔的載氣,NH3作為反應(yīng)腔的反應(yīng)氣體,并向反應(yīng)腔中通入1500-2000sccm的三乙基鎵和2000-4000sccm的CP2Mg;持續(xù)60-90分鐘; 所述S4具體為:設(shè)定反應(yīng)腔溫度900℃-1000℃,壓力200Torr-400Torr,向反應(yīng)腔中通入7500-15000sccm的H2、7500-15000sccm的N2、20000-30000sccm的NH3、1500-2000sccm的三乙基鎵和2000-4000sccmCP2Mg;持續(xù)60-90分鐘; S5:完成MOCVD腔體保養(yǎng)后恢復(fù)工作。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人福建兆元光電有限公司,其通訊地址為:350000 福建省福州市閩侯縣南嶼鎮(zhèn)生物醫(yī)藥和機電產(chǎn)業(yè)園區(qū);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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