買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所申請(qǐng)的專利一種單芯片復(fù)合傳感器結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115265663B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210959385.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01D21/02；該發(fā)明授權(quán)一種單芯片復(fù)合傳感器結(jié)構(gòu)及其制備方法是由王家疇;張鵬;李昕欣設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-08-10向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種單芯片復(fù)合傳感器結(jié)構(gòu)及其制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種單芯片復(fù)合傳感器結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述單芯片復(fù)合傳感器結(jié)構(gòu)包括：?jiǎn)尉Ч枰r底、單晶硅襯底上的絕緣層及集成在所述單晶硅襯底同一面上的角速度傳感器、加速度傳感器及壓力傳感器；其中，所述單晶硅襯底上插設(shè)有多個(gè)絕緣錨點(diǎn)，所述角速度傳感器通過(guò)所述絕緣錨點(diǎn)集成在所述單晶硅襯底上；所述加速度傳感器及所述壓力傳感器與所述角速度傳感器之間絕緣。本發(fā)明的單芯片復(fù)合傳感器結(jié)構(gòu)中的角速度傳感器采用面外Z軸靜電梳齒驅(qū)動(dòng)面內(nèi)差分電容檢測(cè)方式，實(shí)現(xiàn)對(duì)X軸或Y軸角速度檢測(cè)；以外層絕緣的單晶硅柱子作為錨點(diǎn)分別支撐移動(dòng)電極和固定電極懸浮在單晶硅襯底上，解決傳感器單面加工中不同電極間的電學(xué)絕緣難題。

本發(fā)明授權(quán)一種單芯片復(fù)合傳感器結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種單芯片復(fù)合傳感器結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述單芯片復(fù)合傳感器結(jié)構(gòu)包括：?jiǎn)尉Ч枰r底、單晶硅襯底上的絕緣層及集成在所述單晶硅襯底同一面上的角速度傳感器、加速度傳感器及壓力傳感器；其中，所述單晶硅襯底上插設(shè)有多個(gè)絕緣錨點(diǎn)，所述角速度傳感器通過(guò)所述絕緣錨點(diǎn)集成在所述單晶硅襯底上；所述加速度傳感器及所述壓力傳感器與所述角速度傳感器之間通過(guò)設(shè)置絕緣層絕緣，其中，所述絕緣錨點(diǎn)包括環(huán)形結(jié)構(gòu)的深槽、第二氧化硅層、第一氮化硅層及第一多晶硅，所述深槽位于所述單晶硅襯底中，所述第二氧化硅層位于所述深槽的底面及側(cè)壁，所述第一氮化硅層位于所述第二氧化硅層的表面，所述第一多晶硅填充于所述第一氮化硅層形成的槽中； 所述單芯片復(fù)合傳感器結(jié)構(gòu)的制備方法包括以下步驟：S1：提供一所述單晶硅襯底，在所述單晶硅襯底中形成所述絕緣錨點(diǎn)，包括以下步驟：S11：在所述單晶硅襯底的上表面生成第一氧化硅層；S12：刻蝕所述第一氧化硅層及所述單晶硅襯底，以形成環(huán)形結(jié)構(gòu)的所述深槽；S13：在所述深槽的底面及側(cè)壁生成所述第二氧化硅層；S14：在所述第二氧化硅層的表面沉積所述第一氮化硅層；S15：在所述第一氮化硅層形成的槽中填充所述第一多晶硅，以形成所述絕緣錨點(diǎn)； S2：于步驟S1得到的結(jié)構(gòu)的上表面形成所述絕緣層； S3：在所述單晶硅襯底中形成所述加速度傳感器及所述壓力傳感器的敏感電阻，并在所述絕緣層及所述單晶硅襯底中形成釋放孔群； S4：在所述單晶硅襯底中形成所述壓力傳感器的壓力薄膜及參考?jí)毫η惑w，并在所述絕緣層上形成引線孔； S5：在所述絕緣層及所述單晶硅襯底中形成所述角速度傳感器中的固定電極； S6：在所述單晶硅襯底中形成所述加速度傳感器的懸臂梁； S7：在所述單晶硅襯底中形成所述角速度傳感器的移動(dòng)電極、支撐框架、敏感梁及垂直扭擺梁，所述加速度傳感器的質(zhì)量塊；在步驟S7中，具體包括S71：在所述單晶硅襯底上進(jìn)行鈍化層、氮化硅及絕緣層的圖形化，以得到所述加速度傳感器的質(zhì)量塊圖形與所述角速度傳感器的移動(dòng)電極、支撐框架、敏感梁及垂直扭擺梁的圖形；S72：刻蝕所述單晶硅襯底，以得到第一高度的所述角速度傳感器的固定電極；S73：繼續(xù)刻蝕所述單晶硅襯底以得到所述角速度傳感器的固定電極、支撐框架、敏感梁及垂直扭擺梁的結(jié)構(gòu)及所述加速度傳感器的質(zhì)量塊的結(jié)構(gòu)，刻蝕深度為第二預(yù)設(shè)深度；此時(shí)，所述角速度傳感器的驅(qū)動(dòng)梳齒群中固定電極的深度為所述第一高度與所述第二預(yù)設(shè)深度之和，質(zhì)量塊厚度為所述第二預(yù)設(shè)深度；S74：在固定電極、支撐框架、敏感梁、垂直扭擺梁及質(zhì)量塊的側(cè)壁沉積第七鈍化層，刻蝕所述單晶硅襯底以形成第三預(yù)設(shè)深度的犧牲間隙，所述第三預(yù)設(shè)深度大于等于所述第二預(yù)設(shè)深度；S75：選擇性腐蝕所述單晶硅襯底以得到所述角速度傳感器的梳齒群、所述加速度傳感器的質(zhì)量塊以及梳齒群和質(zhì)量塊下方的犧牲間隙；S76：刻蝕掉所述第七鈍化層，以露出所述角速度傳感器的固定電極上方的單晶硅層；S77：刻蝕所述固定電極，刻蝕深度小于所述第二預(yù)設(shè)深度，形成所述加速度傳感器的在垂直襯底方向上的錯(cuò)齒結(jié)構(gòu)； S8：在硅片正面濺射金屬以制備所述壓力傳感器及所述加速度傳感器的引線，完成整個(gè)芯片工藝制備。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，其通訊地址為：200050 上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。