浙江大學秦世榮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江大學申請的專利一種浮柵型二維異質結憶阻器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115394858B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210919398.3，技術領域涉及：H10D30/68；該發明授權一種浮柵型二維異質結憶阻器及其制備方法是由秦世榮;吳惠楨設計研發完成，并于2022-08-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種浮柵型二維異質結憶阻器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種浮柵型二維異質結型憶阻器及其制備方法，憶阻器從下到上依次為Ag電極層、SiO2Si襯底層、MoS2載流子傳輸層，MoS2載流子傳輸層上表面的相對的兩端設置有Au電極，h?BN絕緣電介質層形成了對應于Au電極和MoS2載流子傳輸層共同形成的上表面的凹槽，凹槽內、AuNPs電荷捕獲層、h?BN絕緣電介質層和MoS2載流子傳輸層構成了具備阻抗存儲特性的二維異質結MoS2h?BNAuNPs。相比于傳統基于塊體材料的憶阻器，憶阻存儲器是由零維和二維納米材料所構建，在微型化和柔性方面具有獨特的優勢。考慮到該器件展現出優良的信息存儲和擦除性能以及良好的穩定性和可重復使用性，MoS2h?BNAuNPs浮柵型憶阻器具有良好的發展前景和實用價值。
本發明授權一種浮柵型二維異質結憶阻器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種浮柵型二維異質結憶阻器，其特征在于，所述的憶阻器從下到上依次為Ag電極層5、SiO2Si襯底層4、MoS2載流子傳輸層3，所述的MoS2載流子傳輸層3上表面的相對的兩端設有Au電極2，所述的Au電極2和MoS2載流子傳輸層3共同形成的上表面覆有h-BN絕緣電介質層1，所述的h-BN絕緣電介質層1形成了對應于Au電極2和MoS2載流子傳輸層3共同形成的上表面的凹槽，所述的凹槽內、位于h-BN絕緣電介質層1的上表面為AuNPs電荷捕獲層，所述的AuNPs電荷捕獲層、h-BN絕緣電介質層1和MoS2載流子傳輸層3構成了具備阻抗存儲特性的二維異質結MoS2h-BNAuNPs。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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