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龍圖騰網獲悉浙江大學杭州國際科創中心申請的專利優化FBAR空腔平坦化缺陷的方法及空腔型FBAR和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114421909B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111483158.5，技術領域涉及：H03H3/02；該發明授權優化FBAR空腔平坦化缺陷的方法及空腔型FBAR和應用是由董樹榮;龐正基;軒偉鵬;金浩;駱季奎;劉剛;劉舒婷;鐘高峰;鄒錦林設計研發完成，并于2021-12-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本優化FBAR空腔平坦化缺陷的方法及空腔型FBAR和應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種優化FBAR空腔平坦化工藝缺陷的方法，包括：基底表面具有空腔，在所述空腔內沉積犧牲層；平坦化犧牲層以使得所述犧牲層表面碟形坑為正值得到平坦化器件；將平坦化器件加熱至1000℃?1200℃退火30min?60min得到熱處理器件；在熱處理器件表面濺射一層TaN，利用化學機械拋光法拋光TaN層至基底表面得到第二平坦化器件；在所述第二平坦化器件表面沉積壓電振蕩堆和金屬pad層，去除犧牲層得到空腔型FBAR。該方法能夠使得FBAR諧振器具有較為電極穩定的結構，較高Q值。本發明還公開了采用該方法制備的FBAR諧振器，以及該FBAR諧振器在制備圓晶片上的應用。

本發明授權優化FBAR空腔平坦化缺陷的方法及空腔型FBAR和應用在權利要求書中公布了：1.一種優化FBAR空腔平坦化工藝缺陷的方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底內具有空腔，在所述空腔內沉積犧牲層； 利用化學機械拋光法，平坦化犧牲層使得所述犧牲層表面碟形坑值為正值以得到第一平坦化器件； 將第一平坦化器件進行熱處理得到熱處理器件，所述熱處理工藝為：加熱至1000℃-1200℃退火30min-60min； 在熱處理器件表面濺射一層惰性合金層，利用化學機械拋光法拋光惰性合金層至基底表面得到第二平坦化器件；在所述第二平坦化器件表面沉積壓電振蕩堆和金屬pad層，然后去除犧牲層得到空腔型FBAR； 所述的平坦化犧牲層以使得所述犧牲層表面碟形坑為正值得到第一平坦化器件的化學機械拋光法工藝參數為：懸浮液pH為8.0-10.3，拋光壓力為4psi-6psi，犧牲層拋光速率為6000Amin-9000Amin； 所述的壓電振蕩堆包括第一電極、單晶壓電薄膜和第二電極，所述第一電極形成于基底和犧牲層表面，第二電極形成于單晶壓電薄膜表面，金屬pad層分別位于第一電極和第二電極上； 所述的拋光惰性合金層至基底表面得到第二平坦化器件的化學機械拋光法工藝參數為：研磨液pH為10-12，拋光壓力：4psi-6psi，惰性合金層去除速率為400Amin-600Amin，所述惰性合金層為TaC、TiN或CrN層。

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