北京工業大學崔碧峰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京工業大學申請的專利一種半導體激光器件、制造方法及其應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115693399B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110838375.5，技術領域涉及：H01S5/183；該發明授權一種半導體激光器件、制造方法及其應用是由崔碧峰;王翔媛;潘季宸;馮靖宇;陳芬;李彩芳設計研發完成，并于2021-07-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體激光器件、制造方法及其應用在說明書摘要公布了：本公開內容提供一種半導體激光器及其制作方法，所述激光器包括：一襯底；在襯底上形成的半導體結構，包括第一和第二分布布拉格反射鏡、第一和第二包覆層以及有源層；以及在所述有源層上形成的第一限制層和或在所述有源層下形成的第二限制層；所述限制層在所述有源層中限定出N個相鄰的子發光區域，所述N個相鄰的子發光區域形成一相干耦合發光單元,其中N為大于等于3的整數。本公開內容有助于實現如下效果之一：能解決電流擴展不均勻、獲得相干耦合輸出，改善光束質量，提供高度緊密排列和精確限定。
本發明授權一種半導體激光器件、制造方法及其應用在權利要求書中公布了：1.一種半導體激光器，包括： 一襯底； 在襯底上形成的半導體結構，包括第一和第二分布布拉格反射鏡、第一和第二包覆層以及有源層； 以及在所述有源層上形成的第一電流限制層和或在所述有源層下形成的第二電流限制層； 所述電流限制層在所述有源層中限定出N個相鄰的子發光區域，所述N個相鄰的子發光區域形成一相干耦合發光單元,其中N為大于等于3的整數； 其中，所述電流限制層為電絕緣性，并且所述電流限制層在有源層上方和或下方形成一個較小范圍的第一導電區，所述電流限制層在所述第一導電區的外周，從而在所述第一導電區定義出所述N個相鄰的子發光區域。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京工業大學，其通訊地址為：100124 北京市朝陽區平樂園100號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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