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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所申請的專利III族氮化物增強型HEMT器件及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115692491B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110826176.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權(quán)III族氮化物增強型HEMT器件及其制作方法是由孫錢;鐘耀宗;陳昕;高宏偉;蘇帥;周宇;詹曉寧;劉建勛;楊輝設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-07-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本III族氮化物增強型HEMT器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種III族氮化物增強型HEMT器件及其制作方法。所述III族氮化物增強型HEMT器件包括外延結(jié)構(gòu)以及與外延結(jié)構(gòu)配合的源極、漏極和柵極，所述外延結(jié)構(gòu)包括依次疊設(shè)的溝道層、勢壘層和p型半導體；所述外延結(jié)構(gòu)還包括疊設(shè)在p型半導體上的AlyGa1?yN層，所述柵極設(shè)置在AlyGa1?yN層上；所述勢壘層與p型半導體的接觸界面處的Al含量低于所述勢壘層中其余區(qū)域的Al含量，所述AlyGa1?yN層所含摻雜元素的濃度低于所述p型半導體所含摻雜元素的濃度；其中，0＜x≦1，0≦y≦1，0≦m≦1。本發(fā)明提供的III族氮化物增強型HEMT器件具有更高的柵極工作壽命和更小的柵極動態(tài)閾值電壓漂移，器件的可靠性可以得到大幅提升。

本發(fā)明授權(quán)III族氮化物增強型HEMT器件及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種III族氮化物增強型HEMT器件，包括外延結(jié)構(gòu)以及與外延結(jié)構(gòu)配合的源極、漏極和柵極，所述外延結(jié)構(gòu)包括依次疊設(shè)的溝道層、勢壘層和p型半導體，其特征在于： 所述外延結(jié)構(gòu)還包括疊設(shè)在p型半導體上的AlyGa1-yN層，所述柵極設(shè)置在AlyGa1-yN層上； 其中，所述勢壘層為AlxGa1-xN勢壘層或InxAl1-xN勢壘層，所述p型半導體為p型AlmGa1-mN層或p型InmAl1-mN層，所述勢壘層與p型半導體的接觸界面處的Al含量低于所述勢壘層中其余區(qū)域的Al含量，所述AlyGa1-yN層所含摻雜元素的濃度低于所述p型半導體所含摻雜元素的濃度；其中，0＜x≦1，0≦y≦1，0≦m≦1。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)獨墅湖高教區(qū)若水路398號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。