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龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制作方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN115568203B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202110746050.4，技術領域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權半導體結構及其制作方法是由韓清華設計研發(fā)完成，并于2021-07-01向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本半導體結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明實施例提供一種半導體結構及其制作方法，其中，半導體結構包括：基底；位線，位于基底上，且位線的材料包括金屬半導體化合物；半導體通道，包括依次排列的第一摻雜區(qū)、溝道區(qū)以及第二摻雜區(qū)，第一摻雜區(qū)與位線相接觸；第一介質層，覆蓋第一摻雜區(qū)側壁表面，且同一位線上相鄰第一摻雜區(qū)側壁的第一介質層之間具有第一間隔；絕緣層，覆蓋溝道區(qū)側壁表面；字線，覆蓋絕緣層遠離溝道區(qū)的側壁表面，且相鄰字線之間具有第二間隔；第二介質層，覆蓋第二摻雜區(qū)側壁表面，且位于相鄰第二摻雜區(qū)側壁的第二介質層之間具有第三間隔；第三介質層，位于第一間隔、第二間隔和第三間隔中。本發(fā)明實施例有利于降低位線的電阻，以提高半導體結構的電學性能。

本發(fā)明授權半導體結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底； 位線，位于所述基底上，且所述位線的材料包括金屬半導體化合物； 半導體通道，位于所述位線表面，在沿所述基底指向所述位線的方向上，所述半導體通道包括依次排列的第一摻雜區(qū)、溝道區(qū)以及第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)與所述位線相接觸； 第一介質層，覆蓋所述第一摻雜區(qū)側壁表面，且同一所述位線上相鄰所述第一摻雜區(qū)側壁的所述第一介質層之間具有第一間隔； 絕緣層，覆蓋所述溝道區(qū)側壁表面； 字線，覆蓋所述絕緣層遠離所述溝道區(qū)的側壁表面，且相鄰所述字線之間具有第二間隔； 第二介質層，覆蓋所述第二摻雜區(qū)側壁表面，且位于相鄰所述第二摻雜區(qū)側壁的所述第二介質層之間具有第三間隔； 第三介質層，位于所述第一間隔、所述第二間隔和所述第三間隔中； 還包括：金屬接觸層，位于所述第二摻雜區(qū)遠離所述基底的頂面，且所述金屬半導體化合物和所述金屬接觸層中具有相同的金屬元素； 還包括：過渡層，位于所述第二摻雜區(qū)和所述金屬接觸層之間，且所述金屬接觸層包裹所述過渡層，所述過渡層和所述第二摻雜區(qū)摻雜有相同類型的摻雜離子，且所述摻雜離子在所述過渡層中的摻雜濃度大于在所述第二摻雜區(qū)中的摻雜濃度，所述摻雜離子為N型離子或P型離子中的一者。

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