信越半導(dǎo)體株式會社富井和彌獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)獲悉信越半導(dǎo)體株式會社申請的專利硅晶圓的DIC缺陷的形狀測量方法及研磨方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115335975B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202180024107.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/66；該發(fā)明授權(quán)硅晶圓的DIC缺陷的形狀測量方法及研磨方法是由富井和彌設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-03-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本硅晶圓的DIC缺陷的形狀測量方法及研磨方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明是一種DIC缺陷的形狀測量方法，其測量硅晶圓的DIC缺陷的形狀，包含以下工序：使用粒子計數(shù)器，檢測所述硅晶圓的主面上的DIC缺陷；特定該檢測到的DIC缺陷的位置坐標(biāo)；以及使用該特定的位置坐標(biāo)，通過相位偏移干涉法，測量所述檢測到的DIC缺陷的至少包含高度或深度的形狀。由此，提供簡單且高精度地測量在硅晶圓的主面產(chǎn)生的DIC缺陷的包含尺寸的形狀的DIC缺陷的形狀測量方法。

本發(fā)明授權(quán)硅晶圓的DIC缺陷的形狀測量方法及研磨方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種DIC缺陷的形狀測量方法，其測量硅晶圓的DIC缺陷的形狀，其特征在于，包含以下工序：使用粒子計數(shù)器，檢測所述硅晶圓的主面上的DIC缺陷；將檢測到的DIC缺陷的位置坐標(biāo)從該粒子計數(shù)器向相位偏移干涉檢測裝置輸出；以及基于輸出的位置坐標(biāo)來設(shè)定該相位偏移干涉檢測裝置，通過相位偏移干涉法，測量所述檢測到的DIC缺陷的至少包含高度或深度的形狀，所述DIC缺陷是通過微分干涉對比度檢測到的缺陷，寬度為數(shù)十微米至數(shù)百微米級的缺陷。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人信越半導(dǎo)體株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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