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龍圖騰網獲悉鎧俠股份有限公司申請的專利半導體存儲裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114187947B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110219946.7，技術領域涉及：G11C16/08；該發明授權半導體存儲裝置是由中澤新悟;前田高志設計研發完成，并于2021-02-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體存儲裝置在說明書摘要公布了：實施方式提供一種很好地動作的半導體存儲裝置。實施方式的半導體存儲裝置包括：多個第1導電層，在第1方向并排；多個第2導電層，在第1方向并排；第1半導體層，設置在多個第1導電層與多個第2導電層之間；電荷儲存層，包括設置在多個第1導電層與第1半導體層之間的第1部分、及設置在多個第2導電層與第1半導體層之間的第2部分；第1配線，電連接于第1半導體層；及第1、第2晶體管，連接于第1、第2導電層。另外，該半導體存儲裝置在擦除動作中，向多個第1導電層的至少一部分供給第1電壓，向第1配線供給大于第1電壓的擦除電壓，向多個第2晶體管的至少一部分供給使第2晶體管成為斷開狀態的第1信號電壓。

本發明授權半導體存儲裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體存儲裝置，其特征在于包括： 多個第1導電層，在第1方向并排，且在與所述第1方向交叉的第2方向上延伸； 多個第2導電層，在與所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上與所述多個第1導電層隔開而配置，在所述第1方向并排，且在所述第2方向上延伸； 第1半導體層，設置在所述多個第1導電層與所述多個第2導電層之間，在所述第1方向上延伸，且與所述多個第1導電層及所述多個第2導電層相對向； 電荷儲存層，包括：設置在所述多個第1導電層與所述第1半導體層之間的第1部分、及設置在所述多個第2導電層與所述第1半導體層之間的第2部分； 絕緣層，設置在所述多個第1導電層與所述多個第2導電層之間，在所述第1方向上延伸，且在所述第2方向與所述第1半導體層并排； 第1配線，電連接于所述第1半導體層； 多根電壓供給線，向所述多個第1導電層及所述多個第2導電層中的至少一者供給電壓； 多條第1電流路徑，是所述多個第1導電層與所述多根電壓供給線之間的電流路徑，且分別包含第1晶體管；以及 多條第2電流路徑，是所述多個第2導電層與所述多根電壓供給線之間的電流路徑，且分別包含第2晶體管； 且所述半導體存儲裝置構成為能執行： 第1擦除動作，向所述多個第1導電層的至少一部分供給第1電壓，向所述第1配線供給大于所述第1電壓的擦除電壓，在與所述多個第2導電層的至少一部分對應的所述第2電流路徑上，向至少一個所述第2晶體管的柵極電極供給使所述第2晶體管成為斷開狀態的第1信號電壓。

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