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龍圖騰網(wǎng)獲悉維爾塞特公司申請的專利具有集成天線陣列和低損耗多層內(nèi)插器的天線設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114424402B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080065514.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01Q1/22；該發(fā)明授權(quán)具有集成天線陣列和低損耗多層內(nèi)插器的天線設(shè)備是由S·J·弗蘭森;J·J·盧納設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-10-12向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本具有集成天線陣列和低損耗多層內(nèi)插器的天線設(shè)備在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種天線設(shè)備，該天線設(shè)備包括：輻射層，該輻射層具有形成天線陣列的多個天線元件；半導(dǎo)體晶圓，該半導(dǎo)體晶圓包括各自具有波束形成電路的多個塊；以及多層內(nèi)插器。該多層內(nèi)插器可包括：下部介電層，該下部介電層與襯底相鄰；上部介電層，該上部介電層與輻射層相鄰；金屬層，該金屬層位于下部層與上部層之間并包括多條導(dǎo)電跡線；多個第一通孔，該多個第一通孔延伸穿過上部層和下部層兩者并將波束形成電路電耦合到多個天線元件；以及多個第二通孔，該多個第二通孔在波束形成電路與導(dǎo)電跡線之間延伸以互連塊。

本發(fā)明授權(quán)具有集成天線陣列和低損耗多層內(nèi)插器的天線設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種天線設(shè)備（10），所述天線設(shè)備包括： 輻射層（20），所述輻射層包括形成天線陣列的多個天線元件（22）； 半導(dǎo)體晶圓（40），所述半導(dǎo)體晶圓包括各自具有波束形成電路（48）的多個塊（42）；以及 多層內(nèi)插器（30），所述多層內(nèi)插器包括： 下部介電層（31），所述下部介電層與所述晶圓相鄰； 上部介電層（33），所述上部介電層與所述輻射層相鄰； 金屬層（37），所述金屬層位于所述下部介電層與所述上部介電層之間并包括多條導(dǎo)電跡線（35）； 多個第一通孔（72），所述多個第一通孔延伸穿過所述上部介電層和所述下部介電層兩者并將所述波束形成電路電耦合到所述多個天線元件；以及 多個第二通孔（82），所述多個第二通孔在所述波束形成電路與所述導(dǎo)電跡線之間延伸以互連所述多個塊， 其中所述多個塊中的每個塊具有通過相同的倍縮光罩生成圖像（91）形成的相同電路配置。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人維爾塞特公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。