長江存儲科技有限責任公司張中獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉長江存儲科技有限責任公司申請的專利三維存儲器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114188330B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111361134.2，技術領域涉及：H10B43/27；該發明授權三維存儲器是由張中;吳林春;張坤;周文犀設計研發完成，并于2020-09-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本三維存儲器在說明書摘要公布了：本發明提供一種三維存儲器的制造方法及三維存儲器，在本發明所提供的三維存儲器的制造方法中，在臺階結構上沉積額外的偽柵極覆蓋層之后，僅去除臺階側壁的偽柵極覆蓋層，不去除半導體層上殘留的偽柵極覆蓋層，而是直接在殘留的偽柵極覆蓋層上形成介質層并刻蝕填充形成金屬插塞，精簡了刻蝕工藝且節省了掩膜，提高了生產效率并降低了生產成本；同時，在刻蝕形成接觸孔時，將原來穿過半導體層的接觸孔的刻蝕改為停留在偽柵極覆蓋層，減小了對應的刻蝕窗口，增強了其設計靈活性。
本發明授權三維存儲器在權利要求書中公布了：1.一種三維存儲器，其特征在于，包括： 半導體層，包括陣列區和邊緣區； 堆疊結構，設于所述半導體層上的陣列區，所述堆疊結構包括交替層疊的第二介質層和柵極層，其中，所述堆疊結構靠近所述邊緣區的端部包括多級臺階，所述多級臺階沿著從所述陣列區至所述邊緣區的方向延伸，每一級臺階包括沿遠離所述半導體層方向依次疊設的所述第二介質層和所述柵極層； 第一介質層，位于所述半導體層的邊緣區且貫穿所述半導體層；以及， 偽柵極覆蓋層，設于所述半導體層上的邊緣區，并至少覆蓋所述第一介質層靠近所述堆疊結構的表面；在垂直方向上所述偽柵極覆蓋層高于所述堆疊結構的底面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長江存儲科技有限責任公司，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市東湖新技術開發區未來三路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號