中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司王士京獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114284141B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011032918.6，技術領域涉及：H01L21/306；該發明授權半導體結構的形成方法是由王士京設計研發完成，并于2020-09-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：提供待刻蝕層；在待刻蝕層上形成初始犧牲層；在初始犧牲層內形成改性層，所述改性層的厚度小于所述初始犧牲層的厚度，所述改性層與初始犧牲層的刻蝕速率不同；采用第一刻蝕去除部分所述初始犧牲層，在改性層之間形成凹槽，所述凹槽的深度小于初始犧牲層的厚度；以所述改性層為掩膜，采用第二刻蝕去除所述凹槽底部暴露出的初始犧牲層，形成犧牲層和位于犧牲層上的改性層。所述方法形成的半導體結構的性能得到提升。
本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蝕層； 在待刻蝕層上形成初始犧牲層； 在初始犧牲層內形成改性層，所述改性層的厚度小于所述初始犧牲層的厚度，所述改性層與初始犧牲層的刻蝕速率不同； 采用第一刻蝕去除部分所述初始犧牲層，在改性層之間形成凹槽，所述凹槽的深度小于初始犧牲層的厚度； 以所述改性層為掩膜，采用第二刻蝕去除所述凹槽底部暴露出的初始犧牲層，形成犧牲層和位于犧牲層上的改性層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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