聯華電子股份有限公司許博凱獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉聯華電子股份有限公司申請的專利混合式隨機存取存儲器的系統架構、結構以及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114093908B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010855208.7，技術領域涉及：H10B61/00；該發明授權混合式隨機存取存儲器的系統架構、結構以及其制作方法是由許博凱;王慧琳;許清樺;林奕佑;范儒鈞;陳宏岳設計研發完成，并于2020-08-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本混合式隨機存取存儲器的系統架構、結構以及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種混合式隨機存取存儲器的系統架構、結構以及其制作方法，其中用于單芯片系統的混合式隨機存取存儲器包含：一半導體基底，其具有一磁阻式隨機存取存儲器區以及一可變電阻式隨機存取存儲器區、一第一介電層，位于該半導體基底上、多個可變電阻式隨機存取存儲器單元位于該可變電阻式隨機存取存儲器區的該第一介電層中、一第二介電層位于該第一介電層之上、以及多個磁阻式隨機存取存儲器單元位于該磁阻式隨機存取存儲器區的該第二介電層中。
本發明授權混合式隨機存取存儲器的系統架構、結構以及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種用于單芯片系統上的混合式隨機存取存儲器的系統架構，其特征在于，包含： 運算單元； 混合式寄存器，耦接至該運算單元； 多個磁阻式隨機存取存儲器區塊，每個該磁阻式隨機存取存儲器區塊包含多個磁阻式隨機存取存儲器單元，該些磁阻式隨機存取存儲器單元耦接至磁阻式隨機存取存儲器控制器，且該磁阻式隨機存取存儲器控制器耦接至該混合式寄存器；以及 多個可變電阻式隨機存取存儲器區塊，每個該可變電阻式隨機存取存儲器區塊包含多個可變電阻式隨機存取存儲器單元，該些可變電阻式隨機存取存儲器單元耦接至可變電阻式隨機存取存儲器控制器，且該可變電阻式隨機存取存儲器控制器耦接至該混合式寄存器； 其中該多個可變電阻式隨機存取存儲器單元與該多個磁阻式隨機存取存儲器單元位于同一半導體基底上。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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