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龍圖騰網(wǎng)獲悉歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專利用于制造發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片的方法、發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片和發(fā)射輻射的器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114365296B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080060611.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)用于制造發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片的方法、發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片和發(fā)射輻射的器件是由亞歷山大·F·普福伊費(fèi)爾;托比亞斯·邁耶;科比尼安·佩爾茨爾邁爾;托馬斯·施瓦茨;塞巴斯蒂安·霍伊布爾設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-08-12向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本用于制造發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片的方法、發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片和發(fā)射輻射的器件在說(shuō)明書摘要公布了：提出一種用于制造發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片1的方法，具有如下步驟：?提供半導(dǎo)體晶片2，?將第一接觸層5施加到半導(dǎo)體晶片2上，?將承載裝置8固定在半導(dǎo)體晶片2處，?將半導(dǎo)體晶片2分割成半導(dǎo)體本體13，和?將第二接觸層14施加到半導(dǎo)體本體13上。此外，提出一種發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片和一種發(fā)射輻射的器件。

本發(fā)明授權(quán)用于制造發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片的方法、發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片和發(fā)射輻射的器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于制造發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片（1）的方法，具有如下步驟： -提供半導(dǎo)體晶片（2）， -將第一介電層（17）施加在所述半導(dǎo)體晶片（2）上， -在所述第一介電層（17）中產(chǎn)生第一凹部（18）， -將第一接觸層（5）施加到所述半導(dǎo)體晶片（2）上， -將第二介電層（20）施加在所述第一介電層（17）和所述第一接觸層（5）之上， -在所述第二介電層（20）中產(chǎn)生第四凹部（26）， -將承載裝置（8）固定在所述半導(dǎo)體晶片（2）處， -將所述半導(dǎo)體晶片（2）分割成半導(dǎo)體本體（13），和 -將第二接觸層（14）施加到所述半導(dǎo)體本體（13）上，其中 -所述第二介電層（20）構(gòu)成為，使得其自身機(jī)械穩(wěn)定，和 -所述第四凹部（26）沿橫向方向分別與所述第一凹部（18）之一重疊， -將第一接觸部（27）分別設(shè)置在所述第四凹部（26）之一中， -所述第一接觸部（27）分別在所述第四凹部（26）之一中與所述第一接觸層（5）之一導(dǎo)電接觸， -在所述第二介電層（20）中產(chǎn)生第五凹部（28），所述第五凹部沿橫向方向與所述第一凹部（18）間隔開(kāi)， -將第二接觸部（29）分別設(shè)置在所述第五凹部（28）之一中，和 -所述第四凹部（26）局部地露出所述第一接觸層（5）并且所述第五凹部（28）局部地露出所述第一介電層（17）。

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