瑪科姆技術(shù)方案控股有限公司沙米特·桑恩獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉瑪科姆技術(shù)方案控股有限公司申請的專利用于功率晶體管的改進(jìn)的布局技術(shù)和優(yōu)化獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115461874B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080099185.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權(quán)用于功率晶體管的改進(jìn)的布局技術(shù)和優(yōu)化是由沙米特·桑恩;韋恩·麥克·斯特魯布爾;杰森·馬修·巴雷特;尼桑特·R·亞木加拉;約翰·史提芬·阿瑟頓設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-07-15向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本用于功率晶體管的改進(jìn)的布局技術(shù)和優(yōu)化在說明書摘要公布了：公開了用于改進(jìn)和結(jié)構(gòu)優(yōu)化的晶體管例如RF功率放大器晶體管的各種實施例。晶體管可以包括從襯底的表面升高的漏極金屬部、具有缺口區(qū)域的漏極金屬、具有從柵極歧管延伸的成角度的柵極接線片的柵極歧管體和或源極連接屏蔽件。晶體管可以包括高電子遷移率晶體管HEMT、硅上氮化鎵GaN晶體管、碳化硅上GaN晶體管或其他類型的晶體管。
本發(fā)明授權(quán)用于功率晶體管的改進(jìn)的布局技術(shù)和優(yōu)化在權(quán)利要求書中公布了：1.一種場效應(yīng)晶體管，包括： 第一源極金屬； 第二源極金屬； 柵極歧管，其包括柵極歧管體、第一成角度的柵極接線片和第二成角度的柵極接線片；以及 漏極金屬，其定位在漏極歐姆觸點上方且定位在所述第一源極金屬與所述第二源極金屬之間，其中，所述漏極金屬包括漏極金屬體，所述漏極金屬體具有定位在所述漏極歐姆觸點之間且定位在所述第一源極金屬與所述第二源極金屬之間的缺口區(qū)域，所述缺口區(qū)域限定所述漏極金屬體的第一突出部和第二突出部，所述第一突出部和所述第二突出部定位在所述缺口區(qū)域的相應(yīng)側(cè)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人瑪科姆技術(shù)方案控股有限公司，其通訊地址為：美國馬薩諸塞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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