華邦電子股份有限公司謝竺君獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉華邦電子股份有限公司申請的專利圖案化的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113889400B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010618215.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/033；該發(fā)明授權(quán)圖案化的方法是由謝竺君;吳庭瑋;倪志榮設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-07-01向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本圖案化的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種圖案化的方法，包括以下步驟：在目標(biāo)層上依序形成經(jīng)摻雜多晶硅層、核心層以及未摻雜多晶硅層。圖案化未摻雜多晶硅層，以形成多晶硅圖案。以多晶硅圖案為掩膜，進行第一刻蝕工藝，以移除部分核心層并形成核心圖案。進行第二刻蝕工藝，以移除多晶硅圖案。進行原子層沉積工藝，以于核心圖案與經(jīng)摻雜多晶硅層上形成間隙壁材料。移除部分間隙壁材料，以于核心圖案的側(cè)壁上形成間隙壁。移除部分核心圖案及其下方的經(jīng)摻雜多晶硅層。
本發(fā)明授權(quán)圖案化的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種圖案化的方法，包括： 在目標(biāo)層上依序形成經(jīng)摻雜多晶硅層、核心層以及未摻雜多晶硅層，其中所述經(jīng)摻雜多晶硅層的摻雜濃度大于所述未摻雜多晶硅層的摻雜濃度； 圖案化所述未摻雜多晶硅層，以形成多晶硅圖案； 以所述多晶硅圖案為掩膜，進行第一刻蝕工藝，以移除部分所述核心層并形成核心圖案； 進行第二刻蝕工藝，以移除所述多晶硅圖案； 進行原子層沉積ALD工藝，以于所述核心圖案與所述經(jīng)摻雜多晶硅層上形成間隙壁材料； 移除部分所述間隙壁材料，以于所述核心圖案的側(cè)壁上形成間隙壁；以及 移除部分所述核心圖案及其下方的所述經(jīng)摻雜多晶硅層。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華邦電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣臺中市大雅區(qū)科雅一路8號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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