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龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會(huì)社日立高新技術(shù)申請(qǐng)的專利真空處理方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114097064B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080020786.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/3065；該發(fā)明授權(quán)真空處理方法是由吉岡望;大隈一暢;荒瀨高男設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-06-25向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本真空處理方法在說(shuō)明書摘要公布了：提供能防止鈦Ti系反應(yīng)生成物所導(dǎo)致的向晶片上的異物附著的真空處理方法。真空處理方法能運(yùn)用于等離子處理裝置，等離子處理裝置具備：配置于該真空容器內(nèi)部的處理室內(nèi)且載置具有含鈦Ti膜的晶片的樣品臺(tái)；被供給用于在所述處理室內(nèi)形成等離子的高頻電力的線圈；和為了加熱擱放于所述樣品臺(tái)上表面的所述晶片而輻射電磁波的加熱裝置，該真空處理方法具有如下工序：對(duì)含鈦Ti膜進(jìn)行蝕刻；和使用三氟化氮NF3氣體、氬氣體和氯氣體的混合氣體來(lái)對(duì)所述處理室內(nèi)進(jìn)行清潔。

本發(fā)明授權(quán)真空處理方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種真空處理方法，在處理室內(nèi)蝕刻形成在載置于樣品臺(tái)的樣品且含有鈦的膜，所述真空處理方法的特征在于，具有： 蝕刻工序，對(duì)所述膜進(jìn)行循環(huán)蝕刻；和 清潔工序，在所述蝕刻工序之后，使使用三氟化氮即NF3氣體、氬即Ar氣體、氯即Cl2氣體和氮即N2氣體的混合氣體而生成的自由基與在所述處理室內(nèi)沉積且含有所述鈦的反應(yīng)生成物反應(yīng)，通過(guò)IR光對(duì)所述反應(yīng)了的反應(yīng)生成物進(jìn)行加熱從而使其脫離的同時(shí)對(duì)所述反應(yīng)生成物進(jìn)行清潔。

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