意法半導體股份有限公司M·扎姆普羅戈諾獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉意法半導體股份有限公司申請的專利針對單穩態的PVT補償延遲單元獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112152597B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010592602.6,技術領域涉及:H03K7/08;該發明授權針對單穩態的PVT補償延遲單元是由M·扎姆普羅戈諾;A·塔杰法設計研發完成,并于2020-06-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本針對單穩態的PVT補償延遲單元在說明書摘要公布了:本公開的實施例涉及針對單穩態的PVT補償延遲單元。單穩態電路包括:具有基準發生器的延遲單元,基準發生器基于PVT不變電阻和閾值電壓來生成基準電流;以及具有輸出電容器和輸出電路的延遲塊,輸出電路響應于輸入信號,根據基準電流來改變在輸出電容器上存儲的電荷量。反相器具有耦合到輸出電路的輸入。邏輯電路將反相器的輸出與輸入信號進行邏輯組合,以生成單穩態觸發脈沖。輸出電路包括:響應于輸入信號的第一邏輯狀態而向輸出電容器發出基準電流的電流源;以及響應于輸入信號的第二邏輯狀態而從輸出電容器汲取電流以使得輸出電容器放電的電流宿。
本發明授權針對單穩態的PVT補償延遲單元在權利要求書中公布了:1.一種單穩態電路,包括: 延遲單元,包括: 基準反相器,所述基準反相器的輸入被耦合至所述基準反相器的輸出,并且所述基準反相器被配置為生成閾值電壓; 基準電流發生器,被配置為根據所述閾值電壓和工藝、電壓和溫度PVT不變電阻來生成基準電流;以及 延遲塊,包括: 輸出電容器;以及 輸出電路,被配置為響應于輸入信號,根據所述基準電流來改變在所述輸出電容器上存儲的電荷量; 輸出反相器,具有輸入并且具有輸出,所述輸出反相器的所述輸入被耦合到所述延遲塊的所述輸出電路;以及 邏輯電路,被配置為將所述輸出反相器的所述輸出與所述輸入信號進行邏輯組合以生成單穩態觸發脈沖; 其中所述延遲塊的所述輸出電路包括: 第一p溝道晶體管,具有源極、漏極和柵極,所述第一p溝道晶體管的所述源極被耦合以接收所述基準電流,所述第一p溝道晶體管的所述柵極被耦合以接收所述輸入信號; 第二p溝道晶體管,具有源極、漏極和柵極,所述第二p溝道晶體管的所述源極被耦合到所述第一p溝道晶體管的所述源極,所述第二p溝道晶體管的所述漏極被耦合到接地,所述第二p溝道晶體管的所述柵極被耦合以接收所述輸入信號的互補;以及 n溝道晶體管,具有漏極、源極和柵極,所述n溝道晶體管的所述漏極被耦合到所述第一p溝道晶體管的所述漏極,所述n溝道晶體管的所述源極被耦合到接地,所述n溝道晶體管的所述柵極被耦合以接收所述輸入信號;并且 其中所述輸出電容器被耦合在所述n溝道晶體管的所述漏極與接地之間。
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